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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-08-18 15:45 Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ～ AIデバイス応用に向けて ～ ○中村駿斗・青木裕雅・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大）  ED2022-22 |
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| 抄録 | （和） | Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が，シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可能であるとして，近年盛んに研究が行われている．実用化のためには抵抗緩和現象の詳細を理解し，制御する必要がある．本研究では，Pt/Nb:STO接合の$I$-$V$および$C$-$V$測定を緩和中のデバイスに対して連続的に行うことで，緩和中のショットキーパラメータ(SP)の時間依存性を抽出した．抵抗スイッチング(RS)後のPt/Nb:STOにおけるSPの時間依存性が簡便な方法で得られることを示した． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | Wide bandgap oxide / Nb-doped SrTiO$_3$ / Schottky / Resistive switching / Retention / Interfacial layer / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 152, ED2022-22, pp. 21-24, 2022年8月. | |
| 資料番号 | ED2022-22 | |
| 発行日 | 2022-08-11 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED IEE-BMS IEE-MSS |
| 開催期間 | 2022-08-18 - 2022-08-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-2 |
| テーマ（和） | センサ，MEMS，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-08-ED-BMS-MSS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 |
| サブタイトル（和） | AIデバイス応用に向けて |
| タイトル（英） | Mechanism elucidation of resistance relaxation phenomena in Pt/Nb: SrTiO3 junctions |
| サブタイトル（英） | Toward the application of AI devices |
| キーワード(1)（和/英） | Wide bandgap oxide / |
| キーワード(2)（和/英） | Nb-doped SrTiO$_3$ / |
| キーワード(3)（和/英） | Schottky / |
| キーワード(4)（和/英） | Resistive switching / |
| キーワード(5)（和/英） | Retention / |
| キーワード(6)（和/英） | Interfacial layer / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 駿斗 / Hayato Nakamura / ナカムラ ハヤト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 裕雅 / Hiromasa Aoki / アオキ ヒロマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 洋行 / Hiroyuki Kai / カイ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-08-18 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-22 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.152 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-08-11 (ED) |
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