| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-10-21 14:35 5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・硴塚孝明・松尾慎治（NTT）  OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 |
|
| 抄録 | （和） | チップ間通信のような短距離通信に光インターコネクトを導入するため、極低消費電力で動作する光源が求められている。そこで我々は、活性層長を短くし、InGaAsP導波路を用いてDBRの損失を抑制することにより、レーザの低消費電力化を目指した。活性層長5～80 umのDBRレーザの室温連続発振、及び直接変調に成功し、活性層長5 umのレーザにおいて、しきい値電流51 uA、変調効率18.9 GHz/mA0.5、消費エネルギー24 fJ/bit で10 Gbit/sのアイ開口を確認し、短活性層長化による消費エネルギー削減の効果を確認した。 |
| （英） | In order to introduce optical interconnects into short-distance interconnects, ultra-low power consumption lasers are needed. We tried to reduce the power consumption of lasers by shortening the length of the active region and suppressing the loss of the DBRs by using an InGaAsP waveguide. We have successfully achieved continuous wave operation at room temperature and direct modulation of DBR lasers with the active layer lengths between 5 and 80 um. For a laser with an active layer length of 5 um, we observed the threshold current of 51 uA, modulation efficiency of 18.9 GHz/mA0.5, and 24-fJ/bit energy cost with 10-Gbit/s NRZ signal modulation. | |
| キーワード | （和） | DBRレーザ / メンブレンレーザ / 短共振器レーザ / オンシリコンレーザ / ウエハ接合 / / / |
| （英） | DBR laser / membrane laser / short cavity laser / III-V on Si / wafer bonding / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 218, LQE2022-45, pp. 100-103, 2022年10月. | |
| 資料番号 | LQE2022-45 | |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE OCS LQE |
| 開催期間 | 2022-10-20 - 2022-10-21 |
| 開催地（和） | 松山市民会館 小ホール |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2022-10-OPE-OCS-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low energy direct modulation of a 5-um-long active region on Si DBR laser |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DBRレーザ / DBR laser |
| キーワード(2)（和/英） | メンブレンレーザ / membrane laser |
| キーワード(3)（和/英） | 短共振器レーザ / short cavity laser |
| キーワード(4)（和/英） | オンシリコンレーザ / III-V on Si |
| キーワード(5)（和/英） | ウエハ接合 / wafer bonding |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅野 絵理奈 / Erina Kanno / カンノ エリナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii / フジイ タクロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-10-21 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2022-36, OPE2022-82, LQE2022-45 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.216(OCS), no.217(OPE), no.218(LQE) |
| ページ範囲 | pp.100-103 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]