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講演抄録/キーワード
講演名 2022-10-27 13:30
磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討
井口颯太藤原壮甫豊木研太郎白土 優中谷亮一阪大MRIS2022-6 CPM2022-37
抄録 (和) 磁気抵抗(MR)効果素子やTHz帯で動作可能な磁気デバイスの発展には,反強磁性体のライブラリ 拡大が必要不可欠である.通常,バルクの反強磁性体の磁気構造の評価には中性子回折法が用いられるが,中性子 は物質との相互作用が弱いため薄膜試料に対しては適用困難である.そこで本研究では,反強磁性体薄膜の磁気構 造をMR効果の測定により明らかにすることを目指して,C11b Cr2Al(001)薄膜のMR効果の電流・磁場方位依存 性を測定した.その結果,Cr の磁気モーメントに由来する異常 MR 効果の存在を確認し,その磁場印加方位依存性 から磁気モーメントは c 面内にあると推測した.一方,(001)内での磁気秩序を決めるには更なる検討が必要である. 
(英) The enrichment of library for antiferromagnetic material is essential for the development of magnetoresistance (MR) devices and magnetic devices with THz operation. Neutron diffraction, which has been usually used to evaluate the magnetic structure of bulk antiferromagnets, is difficult to be applied to thin films. In this study, we investigated the magnetic structure of antiferromagnetic thin films via the current and magnetic field orientation dependence of the MR effect in C11b Cr2Al (001) thin films. As results, we confirmed the existence of the anomalous MR effect originating from the magnetic moment of Cr and inferred that the magnetic moment lies in the c-plane from the rotational symmetry. Further investigation is needed to determine the magnetic ordering in the c-plane.
キーワード (和) 反強磁性体 / 磁気抵抗効果 / / / / / /  
(英) Antiferromagnetic material / Magnetoresistive effect / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 230, MRIS2022-6, pp. 1-5, 2022年10月.
資料番号 MRIS2022-6 
発行日 2022-10-20 (MRIS, CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2022-6 CPM2022-37

研究会情報
研究会 MRIS CPM ITE-MMS  
開催期間 2022-10-27 - 2022-10-28 
開催地(和) 信州大学+オンライン開催 
開催地(英) Shinshu Univ. 
テーマ(和) スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス+一般 
テーマ(英) Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2022-10-MRIS-CPM-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of magnetic structure of C11b Cr-Al thin film by magnetoresistance effect measurement 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 反強磁性体 / Antiferromagnetic material  
キーワード(2)(和/英) 磁気抵抗効果 / Magnetoresistive effect  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 颯太 / Sota Iguchi / イグチ ソウタ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 壮甫 / Sosuke Fujiwara / フジワラ ソウスケ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊木 研太郎 / Kentaro Toyoki / トヨキ ケンタロウ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 白土 優 / Yu Shiratsuchi / シラツチ ユウ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中谷 亮一 / Ryouichi Nakatani / ナカタニ リョウイチ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-10-27 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MRIS2022-6, CPM2022-37 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.230(MRIS), no.231(CPM) 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数
発行日 2022-10-20 (MRIS, CPM) 


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