講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-08 15:55
CoFeB/Sb2Te3の相制御による磁気緩和定数の増大 ○諸田美砂子・齊藤雄太・畑山祥吾・内田紀行(産総研) MRIS2022-23 |
抄録 |
(和) |
Sb_2Te_3やBi_2Te_3などのカルコゲナイド材料は、結晶とアモルファスの相の違いにより抵抗率が変化する相変化材料で不揮発性メモリ(PCM)に利用されている一方で、これらの材料はトポロジカル絶縁体でもあり、強いスピン軌道相互作用を持つことから電流からスピン流への高効率な変換が期待される。本研究では、結晶相とスピン機能の二つの特性の相関性に着目した。代表的な相変化材料であるSb_2Te_3の結晶、アモルファス相と強磁性体CoFeBとの二層膜を作製し、強磁性共鳴(FMR)測定により磁気緩和定数を調べた。その結果、結晶Sb_2Te_3では薄膜化に伴う磁気緩和定数の増大が確認されたが、アモルファスSb_2Te_3では膜厚に依存した変化はなかった。この結果は、相変化とスピン特性を利用したデバイスの実現を強く支持するものである。 |
(英) |
Chalcogenide materials such as Sb_2Te_3 and Bi_2Te_3 are known as phase-change materials, which can reversely change their phases between crystalline and amorphous by electrical stimuli, and the resultant resistivity contrast is used for nonvolatile memory (phase-change memory: PCM). In addition, these materials are a representative topological insulator, where the presence of intrinsic strong spin-orbit coupling is expected to provide highly efficient charge to spin current conversion. In this study, we focused on the relationship between the crystalline structure (atomic alignment) and the spin characteristics. The bilayer samples consisting of ferromagnetic CoFeB and topological insulator Sb_2Te_3 were fabricated with different phases of Sb_2Te_3, and the magnetic relaxation constants were investigated by ferromagnetic resonance (FMR) measurements. Enhancement of the magnetic relaxation constant was observed for crystalline Sb_2Te_3 with thinning the layer thickness, while the amorphous sample showed the independent behavior on film thickness. These results support that the phase-changeable spintronic devices can be realized. |
キーワード |
(和) |
カルコゲナイド / 相変化材料 / トポロジカル絶縁体 / 強磁性共鳴 / スピンポンピング / / / |
(英) |
chalcogenide / phase-change material / topological insulator / ferromagnetic resonance / spin-pumping / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 297, MRIS2022-23, pp. 28-31, 2022年12月. |
資料番号 |
MRIS2022-23 |
発行日 |
2022-12-01 (MRIS) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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MRIS2022-23 |