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講演抄録/キーワード
講演名 2022-12-08 15:55
CoFeB/Sb2Te3の相制御による磁気緩和定数の増大
諸田美砂子齊藤雄太畑山祥吾内田紀行産総研MRIS2022-23
抄録 (和) Sb_2Te_3やBi_2Te_3などのカルコゲナイド材料は、結晶とアモルファスの相の違いにより抵抗率が変化する相変化材料で不揮発性メモリ(PCM)に利用されている一方で、これらの材料はトポロジカル絶縁体でもあり、強いスピン軌道相互作用を持つことから電流からスピン流への高効率な変換が期待される。本研究では、結晶相とスピン機能の二つの特性の相関性に着目した。代表的な相変化材料であるSb_2Te_3の結晶、アモルファス相と強磁性体CoFeBとの二層膜を作製し、強磁性共鳴(FMR)測定により磁気緩和定数を調べた。その結果、結晶Sb_2Te_3では薄膜化に伴う磁気緩和定数の増大が確認されたが、アモルファスSb_2Te_3では膜厚に依存した変化はなかった。この結果は、相変化とスピン特性を利用したデバイスの実現を強く支持するものである。 
(英) Chalcogenide materials such as Sb_2Te_3 and Bi_2Te_3 are known as phase-change materials, which can reversely change their phases between crystalline and amorphous by electrical stimuli, and the resultant resistivity contrast is used for nonvolatile memory (phase-change memory: PCM). In addition, these materials are a representative topological insulator, where the presence of intrinsic strong spin-orbit coupling is expected to provide highly efficient charge to spin current conversion. In this study, we focused on the relationship between the crystalline structure (atomic alignment) and the spin characteristics. The bilayer samples consisting of ferromagnetic CoFeB and topological insulator Sb_2Te_3 were fabricated with different phases of Sb_2Te_3, and the magnetic relaxation constants were investigated by ferromagnetic resonance (FMR) measurements. Enhancement of the magnetic relaxation constant was observed for crystalline Sb_2Te_3 with thinning the layer thickness, while the amorphous sample showed the independent behavior on film thickness. These results support that the phase-changeable spintronic devices can be realized.
キーワード (和) カルコゲナイド / 相変化材料 / トポロジカル絶縁体 / 強磁性共鳴 / スピンポンピング / / /  
(英) chalcogenide / phase-change material / topological insulator / ferromagnetic resonance / spin-pumping / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 297, MRIS2022-23, pp. 28-31, 2022年12月.
資料番号 MRIS2022-23 
発行日 2022-12-01 (MRIS) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2022-23

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2022-12-08 - 2022-12-09 
開催地(和) 愛媛大学 + オンライン開催 
開催地(英) Ehime Univ. + Online 
テーマ(和) 信号処理,磁気記録,一般 
テーマ(英) Signal Processing and Others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2022-12-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CoFeB/Sb2Te3の相制御による磁気緩和定数の増大 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Enhancement of magnetic relaxation constant by phase control of CoFeB/Sb2Te3 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) カルコゲナイド / chalcogenide  
キーワード(2)(和/英) 相変化材料 / phase-change material  
キーワード(3)(和/英) トポロジカル絶縁体 / topological insulator  
キーワード(4)(和/英) 強磁性共鳴 / ferromagnetic resonance  
キーワード(5)(和/英) スピンポンピング / spin-pumping  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 諸田 美砂子 / Misako Morota / モロタ ミサコ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 雄太 / Yuta Saito / サイトウ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 祥吾 / Shogo Hatayama / ハタヤマ ショウゴ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 紀行 / Noriyuki Uchida / ウチダ ノリユキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-12-08 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MRIS2022-23 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.297 
ページ範囲 pp.28-31 
ページ数
発行日 2022-12-01 (MRIS) 


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