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講演抄録/キーワード
講演名 2022-12-22 16:50
[ポスター講演]c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性
岸 大貴早大)・柳谷隆彦早大/JSTUS2022-62
抄録 (和) 高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用が期待できる。圧電体の一つであるZnOは、c軸を傾斜させることにより高いk´35を得ることができる。過去に我々のグループは、基板面法線に対し約23°傾斜したZnO多結晶膜の作製に成功し、 k´352 = 6.8%という高いk´35を報告した。本研究ではc軸傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜を用いた厚みすべりモード共振子について報告する。c軸傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜はa面方向に10、20オフ角を付けたc面サファイア基板上にRFマグネトロンスパッタ法によって作製した。(10"1" ̅1)X線極点図において10、20右にシフトした6回対称が確認できることから、MgZnO薄膜はサファイア基板の10、20オフ角を反映してエピタキシャル成長していることが確認された。またTEMによってMgZnO薄膜の表面の電子回折像を観察した結果、スポットが明瞭に観測できたことから、最表面においても単結晶ライクな状態を維持できていると考えられる。c軸10、20傾斜配向MgZnO薄膜のk´352は変換損失法によってそれぞれ2.0%と2.2%と推定された。 
(英) Thickness shear mode piezoelectric thin films with high electromechanical coupling coefficient k´352 are attractive for quasi-shear mode FBAR and SH-SAW devices. The single crystalline ZnO film with 28º tilt to the substrate normal possesses high k´35. In 2007, our group fabricated polycrystalline ZnO films with a 23º tilt to the surface normal and reported k´352 of 6.8%.
In this study, we report c-axis tilted epitaxial MgZnO films grown by RF magnetron sputtering on a c-plane sapphire substrate with a 10°, 20° off-angle to the a-plane direction. The crystalline orientation was examined by XRD pole figure. In-plane six-fold symmetry which is shifted 10°, 20° to the right direction is observed. This indicates that the MgZnO thin film is epitaxially grown reflecting the 10°, 20° off-angle of the substrate. The electron diffraction image of the surface of the MgZnO film was observed by TEM. The spots pattern shows single crystal-like growth even at the surface. Quasi-shear mode k´352 of c-axis 10°and 20° tilted epitaxial MgZnO films are estimated to be 2.0% and 2.2% from shear wave conversion loss of the HBAR structure.
キーワード (和) 超音波トランスデューサ / MgZnO / エピタキシャル成長 / / / / /  
(英) Thickness shear mode resonators / Shear wave ultrasonic transducers / MgZnO / Epitaxial growth / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 323, US2022-62, pp. 62-67, 2022年12月.
資料番号 US2022-62 
発行日 2022-12-15 (US) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2022-62

研究会情報
研究会 EA US  
開催期間 2022-12-22 - 2022-12-23 
開催地(和) サテライトキャンパスひろしま 
開催地(英) Satellite Campus Hiroshima 
テーマ(和) <音響・超音波サブソサイエティ合同研究会>応用/電気音響,超音波一般 
テーマ(英) [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2022-12-EA-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Quasi-shear mode excitation of c-axis tilted MgZnO epitaxial thin film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 超音波トランスデューサ / Thickness shear mode resonators  
キーワード(2)(和/英) MgZnO / Shear wave ultrasonic transducers  
キーワード(3)(和/英) エピタキシャル成長 / MgZnO  
キーワード(4)(和/英) / Epitaxial growth  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸 大貴 / Hiroki Kishi / キシ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学/JST (略称: 早大/JST)
Waseda University/JST (略称: Waseda Univ./JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-12-22 16:50:00 
発表時間 120分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2022-62 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.323 
ページ範囲 pp.62-67 
ページ数
発行日 2022-12-15 (US) 


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