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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-27 13:15 GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・佐久間 仁・後藤清毅（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大）  ED2022-92 MW2022-151 |
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| 抄録 | （和） | GaAs 半導体デバイスの裏面電極には電解 Au めっき膜などが用いられ，そのシード層として，GaAs基板との密着性が高く，ビア内のカバレッジ性が良い無電解 Ni-P めっきが用いられる．無電解 Ni-P めっき膜は内部応力が高くウエハ反りの要因となるため，応力低減が検討されている．本研究では，GaAs 基板上にリン濃度の異なる 3 種類の無電解 Ni-P めっき膜（低リン，中リン，高リン）を形成し，ウエハ反り量および界面反応を評価した． Ni-P 膜を形成した GaAs 基板に 240℃，1 時間の熱処理を行った後のウエハ反り量は，Ni-P 膜(as depo.)のリン濃度が高いほど低かった．断面 SEM から，熱処理により生じた Ni 拡散層厚は Ni-P 膜(as depo.)のリン濃度が高いほど薄く，Ni 拡散層の形成がウエハ反り量に寄与していると考えられる．XPS デプスプロファイル分析の結果，熱処理により Ni が GaAs 基板側に拡散し Ni 拡散層を形成し，一方で Ni-P 膜のリン濃度が上昇することが分かった．成膜直後の Ni-P 膜のリン濃度は 6～20 at.%と異なっていたが，熱処理後には 31～33 at.%でほぼ一定となった．Ni-P 膜は，熱処理によりアモルファスから微結晶（Ni5P2, Ni12P5, Ni7P3）に変化した．微結晶に変化することで Ni 原子はエネルギー的に安定な状態となり，拡散反応が停止したと考えられる． |
| （英） | ||
| キーワード | （和） | ニッケル-リン合金 / ガリウム砒素 / 内部応力 / Ni-GaAs 合金 / 界面反応 / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 370, ED2022-92, pp. 33-35, 2023年1月. | |
| 資料番号 | ED2022-92 | |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-92 MW2022-151 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2023-01-27 - 2023-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ニッケル-リン合金 / |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウム砒素 / |
| キーワード(3)（和/英） | 内部応力 / |
| キーワード(4)（和/英） | Ni-GaAs 合金 / |
| キーワード(5)（和/英） | 界面反応 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西澤 弘一郎 / / ニシザワ コウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 歩 / / マツモト アユム |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福室 直樹 / / フクムロ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 康幸 / / ナカガワ ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 仁 / / サクマ ヒトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 清毅 / / ゴトウ セイキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重 真治 / / ヤエ シンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-27 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-92, MW2022-151 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.370(ED), no.371(MW) |
| ページ範囲 | pp.33-35 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
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