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| 講演名 | 2023-01-27 13:40 ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）  ED2022-93 MW2022-152 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出力増幅器だけではなく，電力変換用の高速高出力スイッチング素子として普及が進んでいる．我々は，高い信頼性/安定性とノーマリオフ動作を両立することを目的に，完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロエピタキシャル層を用いた新規のExtrinsically electron Inducing by Dielectric（EID）構造を採用したプレーナ型のHEMT（EID AlGaN/GaN MOS-HEMT）を提案し，その検証を行なっている．今回，ゲート幅が42mmと150mmのマルチフィンガー型のSi基板上EID AlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し，しきい値電圧0.5Vのノーマリオフ動作，20A以上のオン電流，210mΩのオン抵抗，1kV以上の耐圧を実証した． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / HEMT / EID / thin barrier / MOS / 2DEG / high power / switching | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 370, ED2022-93, pp. 36-39, 2023年1月. | |
| 資料番号 | ED2022-93 | |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-93 MW2022-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2023-01-27 - 2023-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of high current and high voltage E-mode operation in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | / EID |
| キーワード(4)（和/英） | / thin barrier |
| キーワード(5)（和/英） | / MOS |
| キーワード(6)（和/英） | / 2DEG |
| キーワード(7)（和/英） | / high power |
| キーワード(8)（和/英） | / switching |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南條 拓真 / Takuma Nanjo / ナンジョウ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 品川 友宏 / Tomohiro Shinagawa / シナガワ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綿引 達郎 / Tatsuro Watahiki / ワタヒキ タツロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古橋 壮之 / Masayuki Furuhashi / フルハシ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 和康 / Kazuyasu Nishikawa / ニシカワ カズヤス |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-27 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-93, MW2022-152 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.370(ED), no.371(MW) |
| ページ範囲 | pp.36-39 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
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