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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-27 11:00 1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 ○中川祐希・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機）  ED2022-89 MW2022-148 |
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| 抄録 | （和） | 800MHzから4.8GHzまでの4GHz幅をカバーする4G/5G基地局用広帯域GaN増幅器を研究している．周波数帯域毎にドハティ増幅器またはアウトフェージング増幅器として動作させることで高効率化を目指している．周波数帯域毎に2つのGaN HEMTのゲート電圧を制御しながら出力電力，利得，効率，EVM等の特性を調べるため，広帯域増幅器では測定量が増大するという課題があった．そこで省力化のため，まずは1入力増幅器に対してPXIシステムでベクトルトランシーバ，ソースメジャーユニット，パワーセンサを組み合せた測定系を構築し，LabVIEWとMATALABを用いた自動測定用プログラムを開発した．本報告では測定系およびプログラムの詳細と3.8GHz帯での増幅器の測定評価結果について報告する． |
| （英） | We are researching a broadband GaN amplifier for 4G/5G base stations covering a 4GHz band from 800MHz to 4.8GHz. We aim to improve efficiency by operating as a Doherty amplifier or an outphasing amplifier for each frequency band. To investigate characteristics such as output power, gain, efficiency, EVM, etc. while controlling the gate voltage of two GaN HEMTs for each band, broadband amplifiers had the problem of increasing the amount of measurement. A measurement system was constructed by combining a vector transceiver, a source measure unit, and a power sensor in a PXI system for a single-input amplifier, and a program for automatic measurement was developed using LabVIEW and MATLAB. This report describes the details of the measurement system and program. We report on the measurement evaluation results of amplifiers in the 3.8 GHz band. | |
| キーワード | （和） | 高出力増幅器 / 広帯域 / GaN / バイアス依存性 / / / / |
| （英） | Power amplifier / broadband / GaN / bias dependence / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 371, MW2022-148, pp. 19-24, 2023年1月. | |
| 資料番号 | MW2022-148 | |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-89 MW2022-148 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2023-01-27 - 2023-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2023-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement Evaluation of Bias Dependence of Single-Input Broadband GaN Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | バイアス依存性 / bias dependence |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 祐希 / Yuki Nakagawa / ナカガワ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加保 貴奈 / Takana Kaho / カホ タカナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂田 修一 / Shuichi Sakata / サカタ シュウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松崎 優治 / Yuji Komatsuzaki / コマツザキ ユウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-27 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2022-89, MW2022-148 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.370(ED), no.371(MW) |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
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