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講演抄録/キーワード
講演名 2023-04-10 10:20
[依頼講演]単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上
田中 瞳饗場悠太前田高志澤 敬一菊島史恵佐貫朋也キオクシア)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 本報告では,単結晶チャネルと液体窒素を用いた77 Kでの極低温動作の組み合わせにより,3次元フラッシュメモリのセルトランジスタ特性およびストレージ性能が改善されることを示す。poly-Siチャネルを用いた極低温動作 に比べ、単結晶チャネルを用いた極低温動作では、セルトランジスタのサブスレッショルドスロープが急峻になり、Read Noiseが低減される。 特に、Read Noiseは、単結晶チャネルによる改善と極低温動作の相乗効果により、室温のpoly-Siチャネルと比較して1/3程度まで大幅に抑制される。また、極低温では室温に比べてData Retention特性が向上する。これらの特性改善により、セルのVth分布が狭くなり、超多値化によるビットコストスケーリングが可能になる。本報告では、これらの特性改善により7 bits / cellの超多値セルを実現したことを示す 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 3DNANDフラッシュメモリ / 極冷 / 液体窒素 / 単結晶チャネル / 多値化 / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2023-04-10 - 2023-04-11 
開催地(和) 川崎市産業振興会館10階第4会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路技術一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2023-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Synergistic Improvement of 3D Flash Memory by Combination of Single-crystal Channel and Cryogenic Operation. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3DNANDフラッシュメモリ /  
キーワード(2)(和/英) 極冷 /  
キーワード(3)(和/英) 液体窒素 /  
キーワード(4)(和/英) 単結晶チャネル /  
キーワード(5)(和/英) 多値化 /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 瞳 / Hitomi Tanaka / タナカ ヒトミ
第1著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 饗場 悠太 / Yuta Aiba / アイバ ユウタ
第2著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 高志 / Takashi Maeda / マエダ タカシ
第3著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤 敬一 / Keiichi Sawa / サワ ケイイチ
第4著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊島 史恵 / Fumie Kikushima / キクシマ フミエ
第5著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐貫 朋也 / Tomoya Sanuki / サヌキ トモヤ
第6著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
KIOXIA (略称: KIOXIA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-04-10 10:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号  
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.1 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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