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| 講演名 | 2023-04-22 15:35 ［招待講演］ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ ○原 明人・野村海成・永吉輝央・新田誠英・鈴木 翔・伊藤悠人（東北学院大）  SDM2023-16 OME2023-16 |
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| 抄録 | （和） | 我々は, ガラス基板上に高性能な薄膜トランジスタ(TFT)を実現することを目標に研究を進めている.本報告では多結晶４族系薄膜トランジスタ（TFT）, 特にチャネル上下にゲートを有するダブルゲートTFTの特性について報告する. 上下ゲートを同じ電圧で動作させた場合（連結型ダブルゲート）, 上下ゲートを独立に動作させた場合（独立ゲートまたは4端子動作）の特性について, 我々が行った研究を中心に紹介する. この高性能化技術は, 3次元集積回路の実現のための一つのアプローチになると考えている. |
| （英） | The aim of our research is to realize high performance and functional thin-film transistors (TFTs) on glass substrates. This report explains performance of two types of planar double-gate (DG) polycrystalline group-Ⅳ TFTs, which includes top and bottom gate electrode. One is connected DG TFTs, in which electrodes of TG and BG are electrically connected. Another is independent (four-terminal, 4T) DG TFTs, in which top and bottom gates are independently operated. This TFT may be one candidate of upper layer devices in three dimensional (3D) LSI. | |
| キーワード | （和） | ダブルゲート / シリコン / ゲルマニウム / ゲルマニウム スズ / 薄膜トランジスタ / / / |
| （英） | Double-gate / silicon / germanium / germanium tin / TFT / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 8, SDM2023-16, pp. 59-62, 2023年4月. | |
| 資料番号 | SDM2023-16 | |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-16 OME2023-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2023-04-21 - 2023-04-22 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Double gate thin-film transistors on glass substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダブルゲート / Double-gate |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(4)（和/英） | ゲルマニウム スズ / germanium tin |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 海成 / Kaisei Nomura / ノムラ カイセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永吉 輝央 / Akihisa Nagayoshi / ナガヨシ アキヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 誠英 / Masahide Nitta / ニッタ マサヒデ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 翔 / Syo Suzuki / スズキ ショウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 悠人 / Yuto Ito / イトウ ユウト |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-04-22 15:35:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-16, OME2023-16 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.8(SDM), no.9(OME) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |
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