お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2023-04-22 11:20
Optimal Tantalum Nitride Composition Investigation for Source/Drain Electrodes in c-Axis Aligned Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET
Jesper Berglund EklindUU)・Shun OhtaRena WakasaSatoru SaitoNaoki OkunoKenta TakatsuYuichi SatoTomoya TakeshitaHiroki KomagataYumiko NodaToshihiko TakeuchiTatsuya OnukiHitoshi KunitakeShunpei YamazakiSELSDM2023-11 OME2023-11
抄録 (和) The characteristics of an oxide semiconductor field-effect transistor (OSFET) using c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn-O (CAAC-IGZO) are not only dependent on its channel properties but also its source/drain electrodes. One promising electrode material for OSFETs is tantalum nitride (TaN), but its electrical properties varies greatly depending on nitrogen composition. Prior studies reported a large range of resistivities dependent on nitrogen content in the film, and determining the appropriate amount of nitrogen is the main topic of this study. At the meeting, the TaN properties and its effect on OSFET’s performance will be discussed based on the experimental data such as the composition, crystal structure, electrical properties and interface diffusion in a set of different TaN films. 
(英) The characteristics of an oxide semiconductor field-effect transistor (OSFET) using c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn-O (CAAC-IGZO) are not only dependent on its channel properties but also its source/drain electrodes. One promising electrode material for OSFETs is tantalum nitride (TaN), but its electrical properties varies greatly depending on nitrogen composition. Prior studies reported a large range of resistivities dependent on nitrogen content in the film, and determining the appropriate amount of nitrogen is the main topic of this study. At the meeting, the TaN properties and its effect on OSFET’s performance will be discussed based on the experimental data such as the composition, crystal structure, electrical properties and interface diffusion in a set of different TaN films.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 8, SDM2023-11, pp. 37-43, 2023年4月.
資料番号 SDM2023-11 
発行日 2023-04-14 (SDM, OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2023-11 OME2023-11

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2023-04-21 - 2023-04-22 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken Seinen Kaikan 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2023-04-SDM-OME 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optimal Tantalum Nitride Composition Investigation for Source/Drain Electrodes in c-Axis Aligned Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) /  
キーワード(2)(和/英) /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) イェスパー バーグルンド エクリンド / Jesper Berglund Eklind / イェスパー バーグルンド エクリンド
第1著者 所属(和/英) ウプサラ大学 (略称: ウプサラ大)
Uppsala University (略称: UU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 竣 / Shun Ohta / オオタ シュン
第2著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 若狭 玲那 / Rena Wakasa / ワカサ レナ
第3著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 暁 / Satoru Saito / サイトウ サトル
第4著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥野 直樹 / Naoki Okuno / オクノ ナオキ
第5著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高津 健太 / Kenta Takatsu / タカツ ケンタ
第6著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優一 / Yuichi Sato / サトウ ユウイチ
第7著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 智也 / Tomoya Takeshita / タケシタ トモヤ
第8著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 駒形 大樹 / Hiroki Komagata / コマガタ ヒロキ
第9著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 野田 由美子 / Yumiko Noda / ノダ ユミコ
第10著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 敏彦 / Toshihiko Takeuchi / タケウチ トシヒコ
第11著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 大貫 達也 / Tatsuya Onuki / オオヌキ タツヤ
第12著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 國武 寛司 / Hitoshi Kunitake / クニタケ ヒトシ
第13著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ
第14著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy laboratory (略称: SEL)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2023-04-22 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2023-11, OME2023-11 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.8(SDM), no.9(OME) 
ページ範囲 pp.37-43 
ページ数
発行日 2023-04-14 (SDM, OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会