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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-05-19 16:55 AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討 ○赤松龍弥・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大）  ED2023-8 CPM2023-8 SDM2023-25 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 43, SDM2023-25, pp. 32-35, 2023年5月. | |
| 資料番号 | SDM2023-25 | |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-8 CPM2023-8 SDM2023-25 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2023-05-19 - 2023-05-19 |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of device isolation technology of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors for their integration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤松 龍弥 / Tatsuya Akamatsu / アカマツ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： TUT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋良 芳樹 / Yoshiki Akira / アキラ ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： TUT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： TUT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-05-19 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2023-8, CPM2023-8, SDM2023-25 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.41(ED), no.42(CPM), no.43(SDM) |
| ページ範囲 | pp.32-35 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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