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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-05-19 16:30 n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 ○髙津 海・久保広太・佐藤威友（北大）  ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 |
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| 抄録 | （和） | 意図的にダメージを与えたp-GaN表面に対する光電気化学（PEC）エッチングの効果を調査した．n-GaN基板上に形成されたp-GaN層に対する電気化学的容量―電圧（C－V）特性は，電解液/p-GaN界面（Schottky界面）とpn接合界面の面積比に依存して変化し，それら接合容量の直列分圧による補正が必要であることを示した．誘導結合型反応性イオンエッチング（ICP-RIE）加工により表面にダメージが残留したp-GaN試料に対して，電気化学的C－V測定を行った結果，表面アクセプタ密度（NA-ND）が低下しSchottky界面の拡散電位（Vbi）が増大した．この試料にPECエッチングを10nm行ったところ，NA-NDおよびVbiはいずれもAs grownの特性に近づき，表面ダメージが除去される様子が確認された． |
| （英） | The effect of photoelectrochemical (PEC) etching on intentionally damaged p-GaN surfaces was investigated. The electrochemical capacitance-voltage (C－V) characteristics for p-GaN layers grown on n-GaN substrates varied with the area ratio of the electrolyte/p-GaN interface (Schottky interface) to the p-n junction interface, indicating that a series voltage division correction was necessary. Electrochemical C－V measurements confirmed that the surface acceptor density (NA-ND) decreases and the built-in potential (Vbi) at the Schottky interface increases for p-GaN samples with residual surface damage from inductively coupled reactive ion etching (ICP-RIE). After 10 nm PEC etching of the sample, both NA-ND and Vbi approached to the As-grown values, confirming the removal of surface damage. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / 光電気化学エッチング / 電気化学的評価 / / / / / |
| （英） | nitride semiconductors / photoelectrochemical etching / electrochemical characterization / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 41, ED2023-7, pp. 28-31, 2023年5月. | |
| 資料番号 | ED2023-7 | |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2023-05-19 - 2023-05-19 |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage photo-electrochemical etching and electrochemical characterization of p-GaN layers grown on n-GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 光電気化学エッチング / photoelectrochemical etching |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学的評価 / electrochemical characterization |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙津 海 / Umi Takatsu / タカツ ウミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 広太 / Kouta Kubo / クボ コウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-05-19 16:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-7, CPM2023-7, SDM2023-24 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.41(ED), no.42(CPM), no.43(SDM) |
| ページ範囲 | pp.28-31 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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