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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-06-26 11:50 FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 ○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）  SDM2023-30 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-30, pp. 11-14, 2023年6月. | |
| 資料番号 | SDM2023-30 | |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-06-26 - 2023-06-26 |
| 開催地（和） | 広島大学 ナノデバイス研究所 |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. (Res. Inst. of Nanodevices) |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of SiH4 exposure to Fe-NDs on silicidation reaction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斎藤 陽斗 / Haruto Saito / サイトウ ハルト |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田 駿 / Shun Tanida / タニダ シュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-06-26 11:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-30 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) |
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