講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-07-21 10:45
新増幅デバイス・ダイスターとバイポーラトランジスタの静特性比較における形状同一性 岡本賢一郎・○岡本研正・森下和功(京大)・奥野敦史(グリーンプラネッツ) EE2023-14 |
抄録 |
(和) |
高光力の LED を2~3 個直列につないだ光源と半導体受光素子(Si 太陽電池または Si フォトダイオード)を直列接続し両者を数 mm 程度の間隔で近接対向させるだけで、バイポーラトランジスタ(接型合トランジスタ)と同等の動作をする新型増幅デバイス「ダイスター」ができることが近年見出されている.今回われわれはこのようなダイスターのベース接地静特性とエミッタ接地静特性を詳しく調べたところ、Si バイポーラトランジスタとほぼ同一形状の静特性が得られた.この事実は、ダイスターがバイポーラトランジスタと全く同じ増幅動作をすることを裏付けるとともに半導体工学の教科書において 75 年にわたって教え継がれてきたバイポーラトランジスタの動作原理説明の見直しの必要性を迫るものである. |
(英) |
A new type of amplification device called a "distar," which operates in the same way as a bipolar transistor (junction-type transistor), can be created simply by connecting two or three high power LEDs in series with a semiconductor light receiving element (Si solar cell or Si photodiode) in series and placing them close to each other at a distance of about several millimeters. In this study, we investigated the base-ground circuit and emitter-ground circuit static characteristics of such a distar in detail, and found that it has almost the same shape as a Si bipolar transistor. This fact confirms that the die star has exactly the same amplification behavior as the bipolar transistor, and also forces us to review the explanation of the operating principle of the bipolar transistor, which has been taught for 75 years in semiconductor engineering texts. |
キーワード |
(和) |
ダイスター / トランジスタ / 静特性 / 増幅回路 / 光起電力効果 / / / |
(英) |
distar / transistor / static characteristics / amplifier / photovoltaic effect / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 119, EE2023-14, pp. 73-78, 2023年7月. |
資料番号 |
EE2023-14 |
発行日 |
2023-07-13 (EE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EE2023-14 |