| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2023-09-28 16:15
電磁界シミュレーションによるワイヤボンディングとフリップチップボンディングの伝送特性の比較 ○平野拓一(東京都市大) MW2023-85 |
| 抄録 |
(和) |
RFチップと基板の接続には主にワイヤボンディング接続やフリップチップ接続などが用いられる。本稿ではチップと基板を接続するための70GHzまでのワイヤボンディング接続および300GHz帯までのフリップチップ接続構造の伝送特性の電磁界シミュレーションを行った。変換部構造のサイズは0.1自由空間波長程度以下で透過係数S21<-1dBとすることができることがわかった。ワイヤボンディング接続においてはチップおよび近傍の導体パターンの影響で共振が発生することがわかった。 |
| (英) |
Wire bonding connections and flip-chip connections are mainly used to connect RF chips and substrates. In this paper, the electromagnetic simulation of the transmission characteristics of the wire bonding connection up to 70GHz and the flip-chip connection structure up to 300GHz for connecting the chip and substrate was performed. It was found that the size of the conversion part structure can make the transmission coefficient S21<-1 dB with a size of about 0.1 free space wavelength or less. It was found that resonance occurs due to the influence of the chip and the conductor pattern in the vicinity of the wire bonding connection. |
| キーワード |
(和) |
ワイヤボンディング / フリップチップ / 接続 / 電磁界シミュレーション / ミリ波 / / / |
| (英) |
Wire Bonding / Flip Chip / Bonding / Electromagnetic Simulation / Millimeter Wave / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 195, MW2023-85, pp. 22-27, 2023年9月. |
| 資料番号 |
MW2023-85 |
| 発行日 |
2023-09-21 (MW) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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