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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 13:00 ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 ○伊藤俊樹（キヤノン）  SDM2023-54 |
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| 抄録 | （和） | 半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット吐出型UVナノインプリント技術を開発中である。従来はレジストドロップが互いに独立した状態でモールドを押印していたため、ドロップ間に大量の気体を巻き込んだ。気泡欠陥を低減するため、押印時にレジスト膜中に残存する気体の体積を低減する技術に取り組んでいる。巻き込まれても速やかに透過して消失する雰囲気気体として二酸化炭素を選定した。さらに、レジストドロップの流動制御技術を開発し、ドロップ同士をモールド押印前に結合させる技術を確立した。押印前のレジストが連続的な液膜となり、気泡の巻き込みが大幅に減ることを確認した。 |
| （英） | Field-by-field type UV nanoimprint lithography equipped with on-demand inkjet dispense system has been developed, which was named Jet and Flash Imprint Lithography (JFIL). In conventional JFIL condition, the inkjet drops of the resist are still remained independent to each other when imprinting a mold, so that the ambient gas is trapped among the resist drops, the substrate and the mold to generate bubbles. It takes time for the trapped bubbles to disappear and some bubbles sometimes remain in the cured resist film to cause open defect. Waiting time for gas disappearance results in low throughput and the remained bubbles causes defect problem in JFIL. In case that carbon dioxide ambient is applied in JFIL, it was theoretically and experimentally demonstrated that the trapped carbon dioxide gas dissolved rapidly into organic liquid or organic solid layer in imprint stack. The trapped carbon dioxide gas bubble disappeared more rapidly than that of helium gas, which resulted in higher throughput and fewer defect number. Fluid control technology of drop liquid was developed based on fluid mechanics, interface science and liquid property design to have drops of imprint resist to combine prior to imprinting, which was named combined drop JFIL (CD-JFIL). In CD-JFIL, trapped gas volume is minimized to reduce imprint time and bubble defects. |
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| キーワード | （和） | 半導体 / ナノインプリント / リソグラフィ / インクジェット / レジスト / 二酸化炭素 / 欠陥 / |
| （英） | Semiconductor / Lithography / Nanoimprint / Inkjet / Resist / Carbon dioxide / Defect / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-54, pp. 1-6, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-54 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Defect Reduction in UV Nanoimprint Lithography |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ナノインプリント / Lithography |
| キーワード(3)（和/英） | リソグラフィ / Nanoimprint |
| キーワード(4)（和/英） | インクジェット / Inkjet |
| キーワード(5)（和/英） | レジスト / Resist |
| キーワード(6)（和/英） | 二酸化炭素 / Carbon dioxide |
| キーワード(7)（和/英） | 欠陥 / Defect |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 俊樹 / Toshiki ITO / イトウ トシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | キヤノン株式会社 (略称： キヤノン) Canon Inc. (略称： Canon) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 13:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-54 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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