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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 15:10 ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大）  SDM2023-57 |
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| 抄録 | （和） | 我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の電気特性を統計的に評価している．本研究では長方形と台形のゲート形状，異なる素子分離構造といった多種類・多数のトランジスタのランダムテレグラフノイズ（RTN）特性を測定し, 振幅や時定数といったRTNを特徴づけるパラメータを, 様々なドレイン-ソース間電圧(VDS) において抽出・解析した. その結果から, 各バイアス条件において, 形成されたチャネル幅が最小となる領域付近のトラップによるRTNが支配的であること, また, VDSが大きいときはソース側のトラップが最も影響力があることを明らかにした． |
| （英） | We refer to the overall measurement system composed of array test circuits and other equipment as the electrical characterization measurement platform technology, which statistically evaluates electrical characteristics of various semiconductor devices. In this work, random telegraph noise (RTN) of a large number of MOSFETs was measured for each of rectangular and trapezoidal shaped gates, different isolation structures, and buried channel under various drain-to-source voltage (VDS) conditions were analyzed. It was found that RTN is dominated by traps at the minimum gate width in the channel formed under each of the operating VDS conditions. | |
| キーワード | （和） | ランダムテレグラフノイズ / アレイテスト回路 / MOSトランジスタ / ドレインソース間電圧 / 電気特性計測プラットフォーム / / / |
| （英） | RTN / Array Test Circuit / MOSFETs / Drain-to-Source Voltage / Electrical Characteristic Measurement Platform / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-57, pp. 21-26, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-57 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | statistical analysis of random telegraphic noise dependence on operating condition using electrical characteristic measurement platform |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / RTN |
| キーワード(2)（和/英） | アレイテスト回路 / Array Test Circuit |
| キーワード(3)（和/英） | MOSトランジスタ / MOSFETs |
| キーワード(4)（和/英） | ドレインソース間電圧 / Drain-to-Source Voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 電気特性計測プラットフォーム / Electrical Characteristic Measurement Platform |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki / マワキ タケゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 15:10:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-57 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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