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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 16:00 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性 ○西田 脩・片山慶太・中村大輔（九大）・後藤哲也（東北大）・池上 浩（高知工科大）  SDM2023-58 |
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| 抄録 | （和） | エキシマレーザーアニール（ELA）法で結晶化した低温ポリシリコン（LTPS）薄膜トランジスタ（TFT）は、アモルファスシリコンや酸化物半導体に比べて高い移動度を持つ。高精細ディスプレイを製造するには高移動度のチャネル材料が必要とされている。従来の製造現場におけるLTPS薄膜の結晶化においてエキシマレーザーを用いたラインビームによる全面照射によって行われていたが、結晶粒径が300 nmでTFTの移動度が100 cm2/Vsほどで制限される。そこで我々は、ドットマスクを縮小投影する光学系を持つELA装置を用いてレーザーに空間的強度分布を発生させることで結晶粒径制御を行ってきた。この手法を用いて、従来のELA法よりも高移動度かつ、均一な結晶粒の形成を試みたので報告する。 |
| （英） | In recent years, Thin ｆilm ｔransistors have been widely used as switching devices in flat panel displays, such as liquid-crystal displays and organic light-emitting diodes. LTPS is used as a high-performance channel material in TFTs because it has a higher mobility than amorphous silicon and oxide. LTPS can be created by the excimer laser annealing (ELA) process, where a-Si is converted to poly-crystalized Si. In the conventional ELA system, the grain size is limited to 350 nm and the mobility is limited to 100 cm2/Vs. In this study, the intensity distribution is controlled using a dot mask to control the crystal grains. As a result, we succeeded in forming LTPS thin films with higher mobility and uniform grains. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / エキシマレーザーアニール / 低温ポリシリコン / / / / / |
| （英） | Thin-film transistors / Excimer-laser annealing / Low-temperature poly-Si / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-58, pp. 27-33, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-58 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excimer laser annealing method with the controlled grain size of poly-Si films and TFT characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-film transistors |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマレーザーアニール / Excimer-laser annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 低温ポリシリコン / Low-temperature poly-Si |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西田 脩 / Shu Nishida / ニシダ シュウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 慶太 / Keita Katayama / カタヤマ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 大輔 / Daisuke Nakamura / ナカムラ ダイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / |
| 第5著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technology) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-58 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.27-33 |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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