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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 17:00 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大）  SDM2023-61 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜の有機半導体ペンタセンを用いた有機半導体トランジスタ（OFET）のゲート絶縁膜およびReRAMへの応用に関して検討した。n+-Si (100)基板をバックゲート電極として用いていた場合、ゲートリーク電流が大きく、しきい値電圧の高精度な制御と集積化に課題があった。今回、SiO2/Si (100) 基板上に窒素添加LaB6をボトムゲート電極として形成し、窒素添加LaB6/ LaBxNy積層構造を用いたOFETとReRAMの集積化に関する検討を行った。窒素添加LaB6をボトムゲート電極としてパタ－ニングした後、LaBxNyゲート絶縁膜および有機半導体ペンタセン薄膜を形成した。さらに、Auのソース/ドレイン電極を堆積しOFETを作製した。その結果、ゲートリーク電流は１桁程度低減し、ホール移動度は0.13 cm^2/(V∙s) から0.35 cm^2/(V∙s) まで増大し、サブスレッショルド係数(SS)が381 mV/dec.から282 mV/dec.まで低減した。 |
| （英） | LaBxNy insulator films are realized by utilizing Ar/N2 plasma reactive sputtering with nitrogen doped LaB6 as a target. However, in the conventional device structure, the n+- Si(100) substrate was used as the back gate electrode so that the gate leakage current was large, and the threshold voltage control was insufficient. In this study, the integration of OFETs and ReRAM utilizing nitrogen doped LaB6 / LaBxNy stacked structure was investigated. After the patterning of nitrogen-doped LaB6 bottom gate electrode, LaBxNy gate insulator and pentacene film were deposited followed by the Au source/drain electrode formation. The gate leakage current was reduced approximately one order of magnitude. The hole mobility was increased from 0.13 cm^2/(V∙s) to 0.35 cm^2/(V∙s). Furthermore, the subthreshold swing (SS) was decreased from 381 mV/dec. to 282 mV/dec., respectively. | |
| キーワード | （和） | 有機電界効果トランジスタ / 窒素添加LaB6 / LaBxNy絶縁膜 / RFスパッタ法 / / / / |
| （英） | organic field effect transistor / nitrogen-doped LaB6 / LaBxNy insulator / RF sputtering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-61, pp. 46-49, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-61 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on the integration process of ReRAM and OFET utilizing Nitrogen doped LaB6/LaBxNy stacked structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / organic field effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 窒素添加LaB6 / nitrogen-doped LaB6 |
| キーワード(3)（和/英） | LaBxNy絶縁膜 / LaBxNy insulator |
| キーワード(4)（和/英） | RFスパッタ法 / RF sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 趙 嘉昂 / Jiaang Zhao / チョウ カコウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 17:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-61 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.46-49 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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