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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 16:40 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大）  SDM2023-60 |
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| 抄録 | （和） | 本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成プロセスの効果について報告する. GaNが酸化した界面酸化層によってチャネル移動度低下や熱処理後のしきい値低下が起こることを確認した. 界面酸化を防ぐためSiO2成膜前にシリコン酸窒化膜を成膜するプロセスを試み, 界面酸化を抑制可能なことをXPSで確認した. このプロセスをMOSFETのゲート膜に適用して効果を検証すると, 熱処理前後でしきい値が保たれ, 同時に比較的高いチャネル移動度を示した. 以上の結果から, 界面の酸化抑制がGaN MOSFET特性の向上にとって重要であることを示した. |
| （英） | In this paper, we report the effects of MOS interfacial oxidation on electrical properties of GaN MOSFET and show improved electrical properties with formation process of GaN/SiO2 MOS interface suppressing interfacial oxidation. It is confirmed that interfacial oxidation layer on GaN surface can cause degradation in channel mobility and post-annealing threshold voltage. In order to suppress interfacial oxidation, we attempt silicon oxynitride film deposition on GaN surface before SiO2 deposition. XPS analysis clarify that this deposition process can suppress oxidation at MOS interface. GaN MOSFET applied this deposition process show significant improvement of post-annealing threshold voltage and relatively high channel mobility. Thus, suppressing GaOx is essential for high performance. | |
| キーワード | （和） | GaN MOSFET / ゲート絶縁膜 / 界面酸化 / シリコン酸窒化膜 / しきい値 / チャネル移動度 / / |
| （英） | GaN MOSFET / Gate Insulating Film / Interfacial Oxidation / Silicon Oxynitride Film / Threshold Voltage / Channel Mobility / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-60, pp. 40-45, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-60 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation process of GaN MOS interface suppressing interfacial oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN MOSFET / GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate Insulating Film |
| キーワード(3)（和/英） | 界面酸化 / Interfacial Oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン酸窒化膜 / Silicon Oxynitride Film |
| キーワード(5)（和/英） | しきい値 / Threshold Voltage |
| キーワード(6)（和/英） | チャネル移動度 / Channel Mobility |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 剣 / Tsurugi Kondo / コンドウ ツルギ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd. (略称： Fuji Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 勝典 / Katsunori Ueno / ウエノ カツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd. (略称： Fuji Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 亮 / Ryo Tanaka / タナカ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd. (略称： Fuji Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 信也 / Shinya Takashima / タカシマ シンヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd. (略称： Fuji Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江戸 雅晴 / Masaharu Edo / エド マサハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd. (略称： Fuji Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター (略称： 東北大) New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University (略称： NICHe, Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-60 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.40-45 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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