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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-31 14:15 超伝導単一光子検出器の検出機構解明を目指したMgO基板上TiN膜の特性評価と解析 ○石村飛翔・沓間弘樹・山下太郎（東北大）  SCE2023-22 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜の結晶性と検出器性能との相関解明、及び性能向上に向けた設計指針の構築を目的として，MgO(100)基板と格子整合性の良いTiNの特性評価を行った．本研究では，先行研究と比べて基盤加熱なしの条件で格子定数がよりTiNバルク結晶やMgO(100)基板に近いTiN膜が得られ，N_{2}流量比によって転移温度T_{c}と抵抗率ρの関数である磁場侵入長λを160～280 nmの範囲で制御できることがわかった．また，TiNワイヤの電流分布の非一様性を確認し，作製したワイヤの臨界電流密度Jcは対破壊電流密度J_{dep}と比べて14～24%程度であることがわかった．最後に，Arイオンビーム照射によってTiN膜の磁場侵入長λの向上や臨界電流密度J_{c}の低減が可能であることがわかった． |
| （英） | To clarify the correlation between the crystallinity of the films and detector performance and to establish the guideline principles for improving the performance, we characterized TiN films with good lattice matching to the MgO(100) substrate. Compared with previous studies, TiN films with lattice constant closer to those of bulk TiN crystals and the MgO(100) substrate were obtained under conditions where the substrate was not heated. Also, critical temperature, resistivity, and penetration depth could be controlled in the range of 160 ~ 280 nm by the N2 flow ratio. The critical current density of the fabricated TiN wire was found to be 14 ~ 24% of the depairing current density. Finally, it was found that Ar ion beam irradiation can improve the penetration depth of TiN films and reduce the critical current density. | |
| キーワード | （和） | SSPD / 磁場侵入長 / 電流分布 / / / / / |
| （英） | SSPD / penetration depth / current distribution / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 234, SCE2023-22, pp. 49-53, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SCE2023-22 | |
| 発行日 | 2023-10-23 (SCE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2023-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2023-10-30 - 2023-10-31 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 超伝導エレクトロニクス一般 |
| テーマ（英） | Superconducting Electronics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2023-10-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超伝導単一光子検出器の検出機構解明を目指したMgO基板上TiN膜の特性評価と解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and Analysis of TiN Films on MgO Substrate to Clarify the Detection Mechanism of Superconducting Single-Photon Detectors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSPD / SSPD |
| キーワード(2)（和/英） | 磁場侵入長 / penetration depth |
| キーワード(3)（和/英） | 電流分布 / current distribution |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石村 飛翔 / Tsubasa Ishimura / イシムラ ツバサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沓間 弘樹 / Hiroki Kutsuma / クツマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 太郎 / Taro Yamashita / ヤマシタ タロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-31 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2023-22 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.234 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2023-10-23 (SCE) |
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