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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-09 14:00 ［招待講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析 ○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2023-65 |
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| 抄録 | （和） | 単一モード半導体ナノシートにおいて，表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程を数値計算により求める手法を提案する．平均自由行程は，系の無次元化抵抗の対数に関する集団平均から抽出する．本提案手法には，計算負荷の少ないコヒーレントな透過確率の計算のみが必要であり，さらに，従来の手法と異なり，拡散領域を越えた局在領域までの広いチャネル長の領域に適用可能であるという特徴を有する．提案手法を用いて，平均自由行程のチャネル膜厚（$T_mathrm{w}$）依存性を，有効質量近似に基づき計算し，$T_mathrm{w}$が厚い領域では，よく知られた$T_mathrm{w}^6$依存性を示し，$T_mathrm{w}$が薄い領域では$T_mathrm{w}$依存性が弱くなることを示す． |
| （英） | A numerical method is proposed to calculate the transport mean free path of single-mode semiconductor nanosheets with surface roughness. The mean free path is extracted from the ensemble average of the logarithm of the dimensionless resistance. The proposed method requires only coherent transmission probabilities with low computational burden and is applicable to a wide range of channel lengths, from quasi-ballistic to localization regimes. The channel thickness, $T_mathrm{w}$, dependence of the mean free path calculated by the proposed method within the effective mass approximation shows the well-known $T_mathrm{w}^6$ dependence when $T_mathrm{w}$ is thick, but becomes weaker when $T_mathrm{w}$ is thin. | |
| キーワード | （和） | 半導体ナノシート / ラフネス散乱 / アンダーソン局在 / 極微細トランジスタ / デバイスシミュレーション / / / |
| （英） | semiconductor nanosheet / roughness scattering / Andersonlocalization / ultra-small transistor / device simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 250, SDM2023-65, pp. 10-15, 2023年11月. | |
| 資料番号 | SDM2023-65 | |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-11-09 - 2023-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Transport Simulation for Analysis of Surface Roughness Scattering in Semiconductor Nanosheet |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体ナノシート / semiconductor nanosheet |
| キーワード(2)（和/英） | ラフネス散乱 / roughness scattering |
| キーワード(3)（和/英） | アンダーソン局在 / Andersonlocalization |
| キーワード(4)（和/英） | 極微細トランジスタ / ultra-small transistor |
| キーワード(5)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 丈 / Jo Okada / オカダ ジョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-09 14:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-65 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.250 |
| ページ範囲 | pp.10-15 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |
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