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講演抄録/キーワード
講演名 2023-11-09 11:20
[招待講演]GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望
須田 淳名大SDM2023-63
抄録 (和) GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる.GaN縦型パワーデバイスの設計に必要な基礎物性である, インパクトイオン化やバンド間トンネリング等の電子物性, 縦型パワーデバイス作製に必要なエピタキシャル成長技術, イオン注入技術, MOS界面技術の研究動向について解説する.また, 今後GaN縦型パワーデバイスの社会実装に向けての取り組みについても述べる. 
(英) Recent progress of GaN vertical power devices which fabricated on n-type GaN bulk substates. Fundamental properties of GaN (impact ionization and Zener band-to-band tunneling), progress of GaN bulk substrate developments, device fabrication processes such as epitaxial growth, ion implantation and MOS interface are reviewed. Future challenges toward commercialization of GaN vertical devices are also discussed.
キーワード (和) GaN / 縦型パワーデバイス / MOS / イオン注入 / 電子物性 / / /  
(英) GaN / vertical power devices / MOS / ion implantation / electrical properties / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 250, SDM2023-63, pp. 7-7, 2023年11月.
資料番号 SDM2023-63 
発行日 2023-11-02 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2023-63

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2023-11-09 - 2023-11-10 
開催地(和) 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2023-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Current Status and Future Prospects of GaN Vertical Power Devices on GaN substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) 縦型パワーデバイス / vertical power devices  
キーワード(3)(和/英) MOS / MOS  
キーワード(4)(和/英) イオン注入 / ion implantation  
キーワード(5)(和/英) 電子物性 / electrical properties  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-11-09 11:20:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2023-63 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.250 
ページ範囲 p.7 
ページ数
発行日 2023-11-02 (SDM) 


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