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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-10 15:30 ［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析 ○小野倫也（神戸大）  SDM2023-73 |
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| 抄録 | （和） | ステップテラス構造を持つ4H-SiC(0001)/SiO2界面の電子状態とキャリア散乱特性を密度汎関数理論に基づく第一原理計算により調べた．電子状態計算より，界面における接合原子構造は，伝導帯端準位の電子の振る舞いに大きく影響することが分かった．キャリア散乱特性計算の結果より，基板深部を流れる電流は界面ステップテラス構造の影響を受けず散乱が少ないことが分かった．一方，界面近傍を流れる電流は，ステップ端部を直に流れないにもかかわらずステップ端で散乱され，透過率が低いことが分かった．以上の結果より，4H-SiC(0001)基板作製時に生成される基板表面の原子状ステップが電界効果移動度向上の障害になることが示唆され，ステップテラス構造の無いSiC(0001)基板を用いれば移動度低下を抑制できることが期待される． |
| （英） | Density functional theory calculations for investigation of electronic structure and charrier scattering property of the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface with atomic scale steps are performed. We find that the bonding structure with SiO2 affects the electronic structure of the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. Carrier scattering property calculation reveals that two conduction channels contribute the electron conduction at the interface. The behavior of the electrons flowing inside the substrate is insensitive to the existence of the step edges while that of the electrons flowing the channel immediately below the interface is affected at the step edge, resulting in the reduction of the transmission. | |
| キーワード | （和） | DFT計算 / SiC MOS / キャリア散乱 / / / / / |
| （英） | DFT calculation / SiC MOS / Scattering property / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 250, SDM2023-73, pp. 47-50, 2023年11月. | |
| 資料番号 | SDM2023-73 | |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-11-09 - 2023-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DFT study on electronic structure and carrier-transport property of SiC-MOS interface. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFT計算 / DFT calculation |
| キーワード(2)（和/英） | SiC MOS / SiC MOS |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア散乱 / Scattering property |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 倫也 / Tomoya Ono / オノ トモヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-10 15:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-73 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.250 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |
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