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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-30 13:30 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 |
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| 抄録 | （和） | GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系HBTはアクセプタ元素の活性化やp型オーミック電極形成に技術課題がある事が指摘されてきた。本研究では我々が検討を進めてきた四元混晶AlGaInNエミッタとp-GaNよりもアクセプタの活性化エネルギーが小さいp-GaInN層を備えるnpn型GaN-HBTの作製とp型ベース層のコンタクト抵抗の改善を行った。その結果、金属電極とベース層の間にp-GaN再成長を行うことによって、コンタクト抵抗を半分以下に低減することに成功した。試作したデバイスは飽和領域に続いて活性領域が形成されており、ベース電流信号に応じた変調がコレクタ電流に見られるトランジスタ特性を示した。 |
| （英） | Heterojunction bipolar transistors (HBTs) using GaN-based semiconductors are considered to be promising next-generation high-frequency devices. GaN-HBTs have technical challenges in the activation of Mg in the p-type GaN base layer and in the ohmic contact of the p-type GaN base layer. In this study, we fabricated npn-type GaN-HBTs with a quaternary AlGaInN emitter and a p-GaInN layer with lower acceptor activation energy than p-GaN, and improved the contact resistance of the p-type base layer. As a result, the contact resistance was successfully reduced to less than half by performing p-GaN regrowth between the metal electrode and the base layer. The prototype device had a saturation region followed by an active region, and exhibited transistor characteristics with modulation of the collector current in response to the base current signal. | |
| キーワード | （和） | HBT / p-GaN / p-GaInN / regrowth / AlGaInN / MOCVD / / |
| （英） | HBT / p-GaN / p-GaInN / regrowth / AlGaInN / MOCVD / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-15, pp. 6-10, 2023年11月. | |
| 資料番号 | ED2023-15 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN HBTs using a quaternary AlGaInN emitter and a GaInN base |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | p-GaInN / p-GaInN |
| キーワード(4)（和/英） | regrowth / regrowth |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(6)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝本 将也 / Masaya Takimoto / タキモト マサヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間瀬 晃 / Akira Mase / マセ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嶋 智輝 / Kojima tomoki / コジマ トモキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Egawa Takashi / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Miyoshi Makoto / ミヨシ マコト |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-30 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-15, CPM2023-57, LQE2023-55 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.6-10 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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