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講演抄録/キーワード
講演名 2023-11-30 15:45
MOVPEを用いた(0001)面上への低炭素GaNの成長
渡邉浩崇新田州吾藤元直樹川崎晟也隈部岳瑠大西一生本田善央天野 浩名大ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-20, pp. 31-35, 2023年11月.
資料番号 ED2023-20 
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2023-11-30 - 2023-12-01 
開催地(和) アクトシティ浜松 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2023-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPEを用いた(0001)面上への低炭素GaNの成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of low carbon density GaN on (0001) plane by MOVPE 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 浩崇 / Hirotaka Watanabe / ワタナベ ヒロタカ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新田 州吾 / Shugo Nitta / ニッタ シュウゴ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤元 直樹 / Naoki Fujimoto / フジモト ナオキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 晟也 / Seiya Kawasaki / カワサキ セイヤ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 隈部 岳瑠 / Takeru Kumabe / クマベ タケル
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 一生 / Kazuki Ohnishi / オオニシ カズキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第8著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-11-30 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2023-20, CPM2023-62, LQE2023-60 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) 


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