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| 講演名 | 2023-11-30 14:55 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
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| 抄録 | （和） | 界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM )を用いて、ジャンクションバリアショットキーダイオードをシンプルにしたAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN構造の2次元評価を行った。青色SIPM Y (光電子収率)像において、電極中央部よりロックイン検出の位相が180°回転し、約25倍大きい信号が電極周辺部で検出された。Yスペクトルの測定結果を考慮すると、電極端から横方向に広がるNi/p+-GaNショットキー接触の寄与が原因であると考えられる。SIPM法を用いた2次元評価は電極周辺部における電流輸送機構を解明することに有望であることを示した。 |
| （英） | We applied scanning internal photoemission microscopy (SIPM) method to clarify the two-dimensional basic characteristics of the Au/Ni/thin heavily-Mg-doped p-GaN/n-GaN Schottky contacts as a simplified structure of a junction barrier Schottky diode. A 25-times larger photocurrent-signal with a lock-in phase shift of 180° was detected on the electrode periphery than that in the electrode center in the SIPM results. Combining with photocurrent-spectra measurements, a lateral distribution of the Ni/p-GaN interface was responsible for the large signal. We could detect the individual current transport mechanism on the electrode peripheries by two-dimensional characterization using the SIPM method. | |
| キーワード | （和） | GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / / / / / |
| （英） | GaN / Schottky contact / scanning internal photoemission microscopy / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-18, pp. 21-24, 2023年11月. | |
| 資料番号 | ED2023-18 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional characterization of Au/Ni/thin heavily-Mg-doped p-GaN/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉村 遥翔 / Haruto Yoshimura / ヨシムラ ハルト |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今林 弘毅 / Hiroki Imabayashi / イマバヤシ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri / ホリキリ フミマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 (略称： 住友化学) Sumitomo Chemical Company (略称： Sumitomo Chem.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 好伸 / Yoshinobu Narita / ナリタ ヨシノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 (略称： 住友化学) Sumitomo Chemical Company (略称： Sumitomo Chem.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura / フジクラ ハジメ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 (略称： 住友化学) Sumitomo Chemical Company (略称： Sumitomo Chem.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 博 / Hiroshi Ohta / オオタ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei university (略称： Hosei Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei university (略称： Hosei Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-30 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-18, CPM2023-60, LQE2023-58 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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