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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-12-01 14:50 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告する。縦伝導デバイスの実現には、絶縁性のサファイア基板及びAlN層を除去する手法の確立、剥離したデバイスの層構造を支持する方法の確立、平滑な共振器端面の形成技術の確立が必要である。本稿では、レーザーリフトオフ法による基板剥離技術の確立、支持基盤の選択、支持基盤上に固定したデバイスのへき開による端面の形成技術の確立に向けた検討結果についてまず述べる。さらに、これらのプロセスを活用して作製した縦型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードを室温パルス下で評価した結果についてもあわせて報告する。 |
| （英） | In this study, we report on the fabrication method and characteristics of vertical UV-B laser diodes, which are advantageous for high-current operation and capable of high-power operation. To realize vertical devices, it is necessary to establish a method for exfoliating insulating sapphire substrates and AlN layers, a method for supporting the layer structure of the exfoliated device, and a technique for forming smooth optical cavity edge surfaces. In this report, we first describe the results of our investigations into establishing a substrate exfoliated technique using a laser lift-off method, selecting a support substrate, and establishing an edge face formation technique by cleavage of the device fixed on the support substrate. We also report the results of the evaluation of vertical AlGaN-based UV-B laser diodes fabricated using these processes under room temperature pulses. | |
| キーワード | （和） | 半導体 / レーザーダイオード / UV-B領域(波長λ：280 nm～315 nm) / 縦伝導 / / / / |
| （英） | semiconductor / laser diode / UV-B region (Wavelength range from 280 nm to 315 nm) / vertical / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 290, LQE2023-73, pp. 84-87, 2023年11月. | |
| 資料番号 | LQE2023-73 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of vertical AlGaN-based UV-B LD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体 / semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーダイオード / laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | UV-B領域(波長λ：280 nm～315 nm) / UV-B region (Wavelength range from 280 nm to 315 nm) |
| キーワード(4)（和/英） | 縦伝導 / vertical |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西林 到真 / Toma Nishibayashi / ニシバヤシ トウマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 涼輔 / Ryosuke Kondo / コンドウ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 衣里 / Eri Matsubara / マツバラ エリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 凌矢 / Ryoya Yamada / ヤマダ リョウヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井本 圭紀 / Yoshinori Imoto / イモト ヨシノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 光希 / Koki Hattori / ハットリ コウキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第11著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 晃平 / Kohei Miyoshi / ミヨシ コウヘイ |
| 第12著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社 (略称： ウシオ電機) Ushio Inc. (略称： Ushio Inc.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 難波江 宏一 / Koichi Naniwae / ナニワエ コウイチ |
| 第13著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社 (略称： ウシオ電機) Ushio Inc. (略称： Ushio Inc.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 顕宏 / Akihiko Yamaguchi / ヤマグチ アキヒロ |
| 第14著者 所属（和/英） | 西進商事株式会社 (略称： 西進商事) Seishin Trading Co. Ltd. (略称： Seishin Trading Co. Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-12-01 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2023-33, CPM2023-75, LQE2023-73 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.84-87 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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