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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-12-08 10:25 GOS構造電子源の光支援電子放出特性 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）  ED2023-49 |
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| 抄録 | （和） | 原子層物質であるグラフェンは、電子の透過性に優れた特性を有すると共に、可視～遠赤外領域での光の透過性にも優れた特性を有する。Graphene/Oxide/Semiconductor (GOS) 構造からなる平面型電子源は、ホットエレクトロンの高効率放出が可能であるため、p型半導体基板を用いることにより、NEA表面処理のいらない高量子効率半導体フォトカソードとして期待される。本稿では、p型シリコンを用いたGOS電子源の可視光レーザ照射下での光支援電子放出特性について報告する。 |
| （英） | Planar-type electron sources based on graphene/oxide/semiconductor (GOS) structures have demonstrated excellent performance with high electron emission efficiencies of over 30 % and emission current densities as high as 100 mA/cm^2. In this study, we fabricated GOS electron sources with a p-type silicon substrate and investigated their potential as visible laser-driven semiconductor photocathodes without NEA surface. | |
| キーワード | （和） | 平面型電子源 / 光支援電子放出 / グラフェン / / / / / |
| （英） | planar-type electron source / photo-assisted electron emission / graphene / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 297, ED2023-49, pp. 43-44, 2023年12月. | |
| 資料番号 | ED2023-49 | |
| 発行日 | 2023-11-30 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2023-12-07 - 2023-12-08 |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） |
| 開催地（英） | WINC AICHI |
| テーマ（和） | 電子・イオンビーム応用 |
| テーマ（英） | Applications of electron and ion beam |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GOS構造電子源の光支援電子放出特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photo-assisted Electron Emission Properties of Graphene-Oxide-Semiconductor Electron Source |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 平面型電子源 / planar-type electron source |
| キーワード(2)（和/英） | 光支援電子放出 / photo-assisted electron emission |
| キーワード(3)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-12-08 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-49 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.297 |
| ページ範囲 | pp.43-44 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2023-11-30 (ED) |
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