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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-12-22 14:20 高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
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| 抄録 | （和） | 優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの残留キャリア低減，バッファリーク抑制が課題である．本稿では炭素のオートドープにより高抵抗化したGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価について報告する．転位密度約5x108 cm-2，移動度1410 cm2/Vsのウェハに対してゲート長700 nmの素子を作製し，99.4 GHzの高い最大発振周波数を得た．また，ドレイン電圧の増大に伴う相互コンダクタンスの増加と寄生容量の減少がみられた． |
| （英） | MOCVD-grown N-polar GaN HEMTs with high-resistivity carbon-doped GaN buffer were fabricated. Carbon auto doping in buffer layer was promoted under low-temperature and low-V/III-ratio growth conditions. The electron mobility of 1410 cm2/Vs was obtained in the epiwafer with the dislocation density of around 5x108 cm-2. The device with 700-nm gate length exhibited the power cutoff frequency of 99.4GHz. We also examined the dependence of transconductance and parasitic capacitance of the devices on Vd. | |
| キーワード | （和） | N極性GaN HEMT / 高抵抗炭素ドープGaNバッファ / オートドーピング / 高周波特性 / / / / |
| （英） | N-polar GaN HEMT / high-resistivity C-doped GaN buffer / auto doping / RF characteristics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 312, ED2023-63, pp. 46-51, 2023年12月. | |
| 資料番号 | ED2023-63 | |
| 発行日 | 2023-12-14 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MWPTHz |
| 開催期間 | 2023-12-21 - 2023-12-22 |
| 開催地（和） | 東北大・通研 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-12-ED-MWPTHz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD growth and device characteristics of N-polar GaN HEMT with high-resistivity C-doped GaN buffer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | N極性GaN HEMT / N-polar GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高抵抗炭素ドープGaNバッファ / high-resistivity C-doped GaN buffer |
| キーワード(3)（和/英） | オートドーピング / auto doping |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波特性 / RF characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉屋 佑樹 / Yuki Yoshiya / ヨシヤ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi / ツツミ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-12-22 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-63, MWPTHz2023-73 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.312(ED), no.313(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.46-51 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-12-14 (ED, MWPTHz) |
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