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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-05-24 16:40 AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC)エッチングの制御と応用 ○沖 勇吾・塩澤直生・富樫拓也・佐藤威友（北大）  ED2024-11 CPM2024-11 SDM2024-18 |
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| 抄録 | （和） | 表面に陰極を形成した試料を溶液中に浸しUV光を照射して電気化学反応促進させる「コンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチング」について、制御パラメータとエッチング深さおよびモホロジーの関連性を調査した。溶液のpH値は表面モホロジーおよびエッチングレートに大きな影響を与え、酸性溶液中で最も平坦性に優れた加工が実現した。また、陰極の種類によってエッチングレートは変化し、Ti/Al/Ti/Auオーミック電極では、AlGaN層およびGaN層を通して5 nm/minの比較的早い加工がなされた。一方、Tiショットキー電極では、上層のAlGaN層内でエッチングが停止する現象が見られた。照射光強度を増大させるとエッチングレートも増大した。これらより、CL-PECエッチングは、薬液反応による化学的要素と、正孔が積極的に反応に寄与する電気化学的要素により進行することを示し、制御要因としてpH、光照射強度、陰極材料が重要な役割を果たすことを示した。 |
| （英） | The association of control parameters with etching depth and morphology was investigated for contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching technique, in which a sample with a cathode formed on its surface is immersed in a solution and irradiated with UV light to enhance electrochemical reactions. The pH value of the solution had a significant effect on the surface morphology and etching rate, and the best flatness was achieved in acidic solutions. The etching rate varied with the type of cathode, and relatively fast etching of 5 nm/min was achieved for the Ti/Al/Ti/Au ohmic electrode through the AlGaN and GaN layers. On the other hand, for the sample with the Ti Schottky electrode, the etching rate was very low and the etching stopped within the upper AlGaN layer. The etching rate also increased when the irradiation light intensity was increased. These results indicate that CL-PEC etching proceeds by chemical reaction and electrochemical reaction in which holes actively contribute to the reaction, and that pH, light intensity, and cathode material play important roles as controlling factors. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / ヘテロ構造 / 光電気化学エッチング / / / / |
| （英） | AlGaN / GaN / hetero-structure / photoelectrochemical (PEC) etching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 43, ED2024-11, pp. 37-40, 2024年5月. | |
| 資料番号 | ED2024-11 | |
| 発行日 | 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-11 CPM2024-11 SDM2024-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2024-05-24 - 2024-05-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC)エッチングの制御と応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control and application of contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching for AlGaN/GaN heterostructures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / hetero-structure |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / photoelectrochemical (PEC) etching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沖 勇吾 / Yugo Oki / オキ ユウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩澤 直生 / Naoki Shiozawa / シオザワ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富樫 拓也 / Takuya Togashi / トガシ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-05-24 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-11, CPM2024-11, SDM2024-18 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.43(ED), no.44(CPM), no.45(SDM) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) |
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