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講演抄録/キーワード
講演名 2024-05-24 15:25
窒化物半導体集積回路のためのSi NチャネルMOSFETによる発振回路の試作と検討
寺中七海秋良芳樹岡田 浩豊橋技科大ED2024-8 CPM2024-8 SDM2024-15
抄録 (和) 窒化物半導体はワイドギャップ半導体が有する高い絶縁耐圧や、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される高い電子移動度の2次元電子ガス(2DEG)を用いたトランジスタの高速動作などが見込める。しかし、Siとは異なり、安定した低濃度p型ドーピング等のCMOS集積回路技術が確立されていないため、現状で窒化物半導体のCMOS 集積回路は難しい。nチャネルMOSFETで構成される窒化物半導体集積回路では、2DEGをnチャネルとして利用できるため、高速パルスを必要とする機器への利用に期待できる。本研究では、窒化物半導体集積回路を用いて小型アクチュエータを駆動する回路について、nチャネルMOSFETを用いた集積回路を設計し、シリコン集積回路プロセスによる試作と評価を通じて原理検証を行った。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 窒化物半導体 / AlGaN/GaN / nチャネルMOSFET / 小型アクチュエータ / Si 集積回路プロセス / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 124, no. 43, ED2024-8, pp. 25-28, 2024年5月.
資料番号 ED2024-8 
発行日 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2024-8 CPM2024-8 SDM2024-15

研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2024-05-24 - 2024-05-24 
開催地(和) 北海道大学クラーク会館(札幌キャンパス) 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2024-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒化物半導体集積回路のためのSi NチャネルMOSFETによる発振回路の試作と検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of an oscillation circuit using Si N-channel MOSFETs for nitride semiconductor integrated circuits. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化物半導体 /  
キーワード(2)(和/英) AlGaN/GaN /  
キーワード(3)(和/英) nチャネルMOSFET /  
キーワード(4)(和/英) 小型アクチュエータ /  
キーワード(5)(和/英) Si 集積回路プロセス /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺中 七海 / Nanami Teranaka / テラナカ ナナミ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋良 芳樹 / Yoshiki Akira / アキラ ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-05-24 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2024-8, CPM2024-8, SDM2024-15 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.43(ED), no.44(CPM), no.45(SDM) 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数
発行日 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) 


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