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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-08-23 16:05 ミストCVD法によって作製したCu薄膜とその特性 ○岡田達樹・大橋亮介・安岡龍哉・す わい・川原村敏幸（高知工科大）  ED2024-19 |
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| 抄録 | （和） | 各種金属の中で, 銅(Cu)は, 電気伝導性が優れているだけでは無く, 安価なため, 電子デバイスの電極として重宝されている. 本稿では, 出発源や成膜温度を変化させて作製したサンプルの特性, および成膜直後, サンプルを取り出す際に冷却過程を挟むことによる特性の変化について調査した報告する. XRDやSEM測定結果より, 作製したサンプルを評価したところ, 冷却工程の導入は, 作製したサンプルの酸化抑制に効果的であり, 結晶粒の大きさを大きくすることが出来ることが判明した. これらの結果を踏まえれば, 冷却工程の導入は, Cu(111)面由来のピーク強度が増大していることに起因していると考える. さらに優れたCuを作製するためには原料溶液内の酸素の含有量を減少させることが第一歩に繋がると考える. |
| （英） | Among various metals, copper (Cu) is useful as an electrode for electronic devices not only because of its excellent electrical conductivity but also because of its low cost. This paper reports on the investigation of the properties of samples fabricated by changing the source and deposition temperature, and the changes in properties when a cooling process is intervened immediately after deposition and when the samples are taken out. Based on the results of XRD and SEM measurements, it was found that the introduction of a cooling process is effective in suppressing the oxidation of the fabricated samples, and that the size of the crystal grains can be increased. Based on these results, it is considered that the introduction of the cooling process is responsible for the increase in the peak intensity derived from the Cu(111) plane. In order to produce even better Cu, we believe that reducing the oxygen content in the raw material solution is the first step. | |
| キーワード | （和） | ミストCVD / 銅 / / / / / / |
| （英） | Mist CVD / Cu / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 158, ED2024-19, pp. 21-23, 2024年8月. | |
| 資料番号 | ED2024-19 | |
| 発行日 | 2024-08-16 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2024-08-23 - 2024-08-23 |
| 開催地（和） | 高知工科大学（永国寺キャンパス） |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology (Eikokuji Campus) |
| テーマ（和） | 薄膜材料デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Thin film materials and devices, general |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミストCVD法によって作製したCu薄膜とその特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cu thin films produced by mist CVD method and related properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミストCVD / Mist CVD |
| キーワード(2)（和/英） | 銅 / Cu |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 達樹 / Okada Tatsuki / オカダ タツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi University of Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 亮介 / Ryousuke Ohashi / オオハシ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi University of Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安岡 龍哉 / Tatsuya Yasuoka / ヤスオカ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi University of Technology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | す わい / Htet Su Wai / ス ワイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi University of Technology) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川原村 敏幸 / Toshiyuki Kawaharamura / カワハラムラ トシユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi University of Technology) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-08-23 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-19 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.21-23 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2024-08-16 (ED) |
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