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講演抄録/キーワード
講演名 2024-08-23 14:50
ミストCVD法による酸化亜鉛薄膜の成膜と熱処理の特性変化
大橋亮介岡田達樹ヘテット ス ワイ安岡龍哉川原村敏幸高知工科大ED2024-16
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 124, no. 158, ED2024-16, pp. 12-14, 2024年8月.
資料番号 ED2024-16 
発行日 2024-08-16 (ED) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2024-16

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2024-08-23 - 2024-08-23 
開催地(和) 高知工科大学(永国寺キャンパス) 
開催地(英) Kochi University of Technology (Eikokuji Campus) 
テーマ(和) 薄膜材料デバイス,一般 
テーマ(英) Thin film materials and devices, general 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2024-08-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ミストCVD法による酸化亜鉛薄膜の成膜と熱処理の特性変化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of ZnO Thin Films by Mist CVD and the characteristic variation by heat treatment. 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 亮介 / Ryosuke Ohashi / オオハシ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 達樹 / Tatsuki Okada / オカダ タツキ
第2著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ヘテット ス ワイ / Htet Su Wai / ヘテット ス ワイ
第3著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安岡 龍哉 / Yasuoka Tatsuya / ヤスオカ タツヤ
第4著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 川原村 敏幸 / Toshiyuki Kawaharamura / カワハラムラ トシユキ
第5著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-08-23 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2024-16 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.158 
ページ範囲 pp.12-14 
ページ数
発行日 2024-08-16 (ED) 


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