| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-10-24 13:40
[招待講演]絶縁膜上における多結晶半導体薄膜の高品位形成 橋本 隆・梶原隆司・茂藤健太・山本圭介(九大)・岡田竜弥・野口 隆(琉球大)・○佐道泰造(九大) SDM2024-47 |
| 抄録 |
(和) |
次世代の高性能システムインディスプレイの実現には,ガラスなどの絶縁基板上における半導体薄膜の高品位形成が必須である.ここでは,まず固相成長法をベースとしたIV族半導体薄膜(Ge,Si)の結晶成長に関する研究を紹介する.IV族半導体薄膜に微量Sn添加や表面/界面変調などを重畳することで,極薄膜の高品位形成が実現する.つぎにIII-V族半導体薄膜(InSb)の結晶成長に関する研究を紹介する.ガラス上に堆積した非晶質InSb薄膜の熱処理温度を適正化することで,多結晶薄膜が大粒径化し,極めて高いキャリア移動度が発現する. |
| (英) |
To realize next-generation high-performance system-in-displays, formation of high-quality semiconductor films on insulating substrates, such as glass panels, should be developed. We introduce recent studies of crystal growth of group IV semiconductor (Ge, Si) films based on solid-phase crystallization. Combined with introduction with a small amount of Sn and modulation of the surface and interface of the films, high-quality ultra-thin films are obtained. We also introduce studies of crystal growth of III-V semiconductor (InSb) films. By optimization of the annealing temperature of amorphous InSb films on glass substrates, large-grain poly-InSb films, having very high carrier mobility, are obtained. |
| キーワード |
(和) |
半導体 / 結晶成長 / 多結晶薄膜 / 薄膜デバイス / システムインディスプレイ / / / |
| (英) |
Semiconductor / Crystal growth / Poly-crystalline film / Thin-film device / System-in-display / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 222, SDM2024-47, pp. 18-21, 2024年10月. |
| 資料番号 |
SDM2024-47 |
| 発行日 |
2024-10-17 (SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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