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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-10-31 13:40 共添加HfO2系強誘電体の開発 ○浅沼周太郎・右田真司・太田裕之・森田行則・畑山祥吾（産総研）  MRIS2024-10 CPM2024-39 |
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| 抄録 | （和） | HfO2系強誘電体（FE-HfO2）は膜厚10 nm以下でも強誘電性を示すためFeFET（強誘電体ゲート電界効果トランジスタ）等のデバイスへの応用が期待され研究が進められているが、ペロブスカイト系強誘電体と比較するとEndurance（書き換え可能回数）特性等で劣ると言う課題があった。この原因はFE-HfO2の強誘電相（直方晶相）が安定化するのに酸素欠陥が大きな役割を果たしている一方で、この酸素欠陥が電界印加によって移動することで強誘電性が劣化するジレンマを抱えているからだと推測されている。我々は、HfO2に平均価数が4+になる様に3+と5+の元素を同mol添加すればHfO2内に電荷不均一性が生じて酸素欠陥なしで強誘電相が安定化するのではないかと予想し、Y3+とNb5+を同mol共添加したYxNbxHf1-2xO2（YNHO）（x = 0.02 - 0.1）の薄膜を作製し評価した。その結果、YNHO膜は強誘電性を示し、さらに通常のFE-HfO2と比較してEndurance特性が向上していることを発見した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 強誘電体 / HfO2 / 共添加 / 薄膜 / FeFET / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 227, MRIS2024-10, pp. 9-14, 2024年10月. | |
| 資料番号 | MRIS2024-10 | |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2024-10 CPM2024-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS CPM ITE-MMS |
| 開催期間 | 2024-10-31 - 2024-11-01 |
| 開催地（和） | 信州大学長野(工学)キャンパス |
| 開催地（英） | Nagano Camp. Shinshu Univ. + Online |
| テーマ（和） | スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） | Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2024-10-MRIS-CPM-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 共添加HfO2系強誘電体の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of co-doped HfO2-based ferroelectrics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / |
| キーワード(2)（和/英） | HfO2 / |
| キーワード(3)（和/英） | 共添加 / |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / |
| キーワード(5)（和/英） | FeFET / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅沼 周太郎 / Shutaro Asanuma / アサヌマ シュウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 祥吾 / Shogo Hatayama / ハタヤマ ショウゴ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-10-31 13:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MRIS2024-10, CPM2024-39 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.227(MRIS), no.228(CPM) |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) |
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