| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-11-08 11:20
[招待講演]ニューラルネットワークモデルを活用した極低温デバイスモデリングの省力化 ○稲葉 工・千足勇介・小倉 実・浅井栄大・更田裕司・岡 博史・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・森 貴洋(産総研) SDM2024-60 |
| 抄録 |
(和) |
クライオCMOS集積回路の設計に不可欠な極低温動作MOSFETのデバイスモデルパラメータ抽出の省力化に向け、ニューラルネットワークモデルを活用したデバイスモデルパラメータの自動抽出を行った。自動抽出では、転移学習モデルを用いた未計測データの予測、生成モデルを用いたデバイスモデルパラメータの推定、および最小二乗法を用いた微調整を行った。 |
| (英) |
Automated device model parameter extraction for cryogenic MOSFETs was examined. Transfer learning neural network model was used for predicting unmeasured data, reducing time and cost for laborious cryogenic measurements. Generative neural network model was then used to provide model parameters from cryogenic MOSFETs characteristics predicted by the transfer learning neural network model. The model parameters predicted by the generative model was finally finetuned by the conventional least-squares metho without falling local minimum during the optimization. |
| キーワード |
(和) |
クライオCMOS / デバイスモデリング / ニューラルネットワーク / / / / / |
| (英) |
Cryo-CMOS / Compact Modeling / Neural Network / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 242, SDM2024-60, pp. 22-25, 2024年11月. |
| 資料番号 |
SDM2024-60 |
| 発行日 |
2024-10-31 (SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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