| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-11-08 15:50
サファイア基板上エピタキシャルNbN(111)薄膜を用いた超伝導単一光子検出器 ○森永健太郎・沓間弘樹(東北大)・分林道隆・小林 篤(東京理科大)・山下太郎(東北大) SCE2024-7 |
| 抄録 |
(和) |
AlNバッファ層を有するサファイア基板上にエピタキシャル成長したNbN(111) 薄膜を用いた超伝導単一光子検出器の実現に向け,この薄膜の物性測定と光子検出器の作製及び光子応答性の評価を行った.AlN /サファイア基板とNbN (111) 膜との優れた格子整合性により,高い均一性を示す膜が期待される.物性測定及び解析の結果,薄膜のステップ構造に由来する超伝導転移温度や抵抗率等の物性値における異方性を確認した.また,従来のエピタキシャルNbN薄膜に比べ長い磁場侵入長を示すことが明らかとなった.そして線幅3.0 – 12 µmの光子検出器を作製し光子応答性を評価した結果,全ての素子において光子応答を確認することができた. |
| (英) |
In order to realize a superconducting single photon detector using NbN(111) thin films epitaxially grown on a
sapphire substrate with an AlN buffer layer, we have measured the physical properties of these films, fabricated SSPDs and
evaluated their photon response. The excellent lattice matching between the AlN/sapphire substrate and the NbN (111) film
enables the realization of films with high uniformity. The results of physical properties measurements and analysis confirmed
anisotropy in physical properties such as superconducting transition temperature and resistivity, which are derived from the step
structure of the thin film. It was also found that the film exhibits a longer magnetic field penetration length than conventional
epitaxial NbN thin films. Photon detectors with line widths of 3.0 - 12 µm were fabricated and their photon response was
evaluated. |
| キーワード |
(和) |
超伝導単一光子検出器 / エピタキシャル成長 / 窒化物膜 / / / / / |
| (英) |
Superconducting single photon detector / epitaxial growth / nitride films / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 243, SCE2024-7, pp. 13-16, 2024年11月. |
| 資料番号 |
SCE2024-7 |
| 発行日 |
2024-11-01 (SCE) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SCE2024-7 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SCE |
| 開催期間 |
2024-11-08 - 2024-11-09 |
| 開催地(和) |
東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地(英) |
RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ(和) |
超伝導エレクトロニクス一般 |
| テーマ(英) |
Superconducting Electronics |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SCE |
| 会議コード |
2024-11-SCE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
サファイア基板上エピタキシャルNbN(111)薄膜を用いた超伝導単一光子検出器 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Superconducting single-photon detectors using epitaxial NbN(111) thin film on sapphire substrate |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
超伝導単一光子検出器 / Superconducting single photon detector |
| キーワード(2)(和/英) |
エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)(和/英) |
窒化物膜 / nitride films |
| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森永 健太郎 / Kentaro Morinaga / モリナガ ケンタロウ |
| 第1著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
沓間 弘樹 / hiroki Kutsuma / クツマ ヒロキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
分林 道隆 / Michitaka Wakebayashi / ワケバヤシ ミチタカ |
| 第3著者 所属(和/英) |
東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 篤 / Atsushi Kobayashi / コバヤシ アツシ |
| 第4著者 所属(和/英) |
東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山下 太郎 / Taro Yamashita / ヤマシタ タロウ |
| 第5著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2024-11-08 15:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SCE |
| 資料番号 |
SCE2024-7 |
| 巻番号(vol) |
vol.124 |
| 号番号(no) |
no.243 |
| ページ範囲 |
pp.13-16 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2024-11-01 (SCE) |