| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-11-15 11:00
広帯域X帯GaN MMIC高出力増幅器・ドライバ増幅器チップセット ○齋木研人・神岡 純・新庄真太郎(三菱電機) MW2024-136 |
| 抄録 |
(和) |
広帯域動作が可能な,X帯GaN MMIC高出力増幅器および同ドライバ増幅器から構成されるチップセットの試作結果について報告する.レーダシステムにおける増幅器には,探知距離の向上や低消費電力化の観点から,高出力,高効率な性能に加えて高い利得が要求される.今回,GaN on SiCプロセスによる,出力回路に2倍高調波抑圧フィルタを装荷した2段構成の高出力増幅器(HPA : High Power Amplifier) と,3段構成の高利得特性を持つドライバ増幅器(DA : Driver Amplifier)をそれぞれ試作し,評価を実施した.その結果,X帯を含む比帯域52%の広帯域にわたって,HPAでは出力電力44.1-46.6dBm,電力付加効率27.2-45.0%,動作利得14.3-22.4dB,基本波に対する2倍高調波レベル-38dBc以下の性能が,DAでは出力電力33.3-34.7dBm,電力付加効率23.1-26.6%,動作利得29.3-30.7dBの性能がそれぞれ得られた.これらの結果から,本報告のHPAおよびDAを用いることで,高利得かつ高出力,高効率なレーダ用増幅器チップセットを実現可能であることを示した. |
| (英) |
An X-band GaN MMIC amplifier chipset consists of high-power amplifier (HPA) and driver amplifier (DA) is presented. Amplifiers in radar systems are required to have high gain as well as high-power and high-efficiency performance to improve detection range and reduce power consumption. The proposed HPA is a two-stage amplifier with spurious suppression filters, and DA is composed of three-stages to achieve high gain to drive HPA. The designed and fabricated HPA achieved output power of 44.1 to 46.6dBm and power-added efficiency (PAE) of 27.2 to 45.0% over 52% fractional bandwidth. And the DA achieved output power of 33.3 to 34.7dBm, PAE of 23.1 to 26.6% and gain of 29.3 to 30.7dB. |
| キーワード |
(和) |
電力増幅器 / MMIC / GaN / チップセット / / / / |
| (英) |
Power amplifier / MMIC / GaN / Chipset / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 261, MW2024-136, pp. 65-68, 2024年11月. |
| 資料番号 |
MW2024-136 |
| 発行日 |
2024-11-07 (MW) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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