| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-11-28 15:20
金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強 ○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司(阪公立大)・船戸 充・川上養一(京大) ED2024-24 CPM2024-68 LQE2024-55 |
| 抄録 |
(和) |
プラズモニクスは、InGaN/GaN系半導体の青色発光効率を大幅に向上させる技術である.しかし,人間の視感度が最も高い550nm付近の緑色波長域では,プラズモニクスをはじめとするさまざまな方法を用いても高効率化は依然として難しい課題となっている.半導体LEDは、緑色や黄色領域で効率が系統的に低下する「グリーンギャップ」と呼ばれる問題を抱えており,これを解消する必要がある.本研究では,この問題を解決する新たな方法として,銀ナノ粒子と誘電体ナノ薄膜構造を活用し,高効率な緑色発光を実現するアプローチを紹介する. |
| (英) |
Plasmonics enable significant improvements in the blue emission efficiency of InGaN/GaN-based semiconductors. However, achieving high efficiency in the green wavelength range (~550 nm), which corresponds to the peak of human visual sensitivity, remains challenging even with plasmonics and other approaches. Semiconductor LEDs experience a systematic drop in efficiency in the green/yellow region, known as the "green gap," which must be addressed. Here, we introduce a novel method employing Ag nanoparticles and dielectric nanofilm structures to tackle this issue and achieve highly efficient green light emission. |
| キーワード |
(和) |
表面プラズモン / プラズモニクス / 金属ナノ構造 / 誘電体薄膜 / InGaN/GaN / 量子井戸 / / |
| (英) |
Surface plasmon / Plasmonics / Metallic nanostructures / Dielectric thin tfilms / InGaN/GaN / Quantum well / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 280, LQE2024-55, pp. 17-20, 2024年11月. |
| 資料番号 |
LQE2024-55 |
| 発行日 |
2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2024-24 CPM2024-68 LQE2024-55 |