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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-28 13:55 InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合 ○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大）  ED2024-22 CPM2024-66 LQE2024-53 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で系統的に作製したInGaN/GaNナノピラーにおいて，フォトルミネッセンス(PL)および時間分解PL測定を行い，ナノ構造特有の歪緩和効果と表面再結合について議論した．ナノピラーの細線化に伴って，歪緩和効果によって輻射再結合確率は増大するが，表面非輻射再結合の影響が顕著になり，内部量子効率は低下した．また，直径が100 nm以下のナノピラーでは，キャリアの拡散距離に応じた表面再結合の飽和現象が観測された．したがって，InGaN系ナノピラーの高効率化においては表面パッシベーションが重要である． |
| （英） | In this study, we performed photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements in InGaN/GaN nanopillars fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE) method and discussed the nanostructural effects especially for strain relaxation and surface recombination. As the diameter of the nanopillars decreased, the radiative recombination rate increased due to the strain relaxation effect, but the surface nonradiative recombination was more significant, resulting in the decreased internal quantum efficiency. In addition, for nanopillars with diameters comparable to the carrier diffusion length, the saturation phenomena in surface recombination were observed. Therefore, surface passivation is important for achieving high emission efficiency in InGaN-based nanopillars. | |
| キーワード | （和） | InGaN / ナノピラー / ナノ構造効果 / 歪緩和 / 表面再結合 / / / |
| （英） | InGaN / Nanopillar / Nanostructural effect / Strain relaxation / Surface recombination / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 280, LQE2024-53, pp. 9-12, 2024年11月. | |
| 資料番号 | LQE2024-53 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-22 CPM2024-66 LQE2024-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Strain relaxation and surface recombination in InGaN based nanopillars |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | ナノピラー / Nanopillar |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ構造効果 / Nanostructural effect |
| キーワード(4)（和/英） | 歪緩和 / Strain relaxation |
| キーワード(5)（和/英） | 表面再結合 / Surface recombination |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大音 隆男 / Takao Oto / オオト タカオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小菅 駿也 / Shunya Kosuge / コスゲ シュンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相川 健喜 / Takeki Aikawa / アイカワ タケキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉邉 海史 / Umito Kurabe / クラベ ウミト |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-28 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2024-22, CPM2024-66, LQE2024-53 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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