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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-28 14:55 GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 ○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 |
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| 抄録 | （和） | GaInN系光電変換素子は、様々な用途に適用が期待できる光無線給電システムの構成要素として向けて有望である。これまで我々は、40層以上のGaInN多重量子井戸（MQW）構造を光吸収層として備えるGaInN系光電変換素子について報告してきたが、さらなる性能改善に向けてはエピタキシャル構造の結晶品質改善が必須である。本研究では、GaInN MQWならびにp型コンタクト層の結晶品質改善に着目し、その成長温度マネジメントの最適化を試みた。本研究の結果、素子構造の設計構造・組成を損なう事なく、MQW光吸収層の構造ゆらぎの抑制と良好な表面モフォロジーを実現する成長条件を見出す事が出来た。 |
| （英） | GaInN-based photodetectors are highly promising as a key component of the optical wireless power transmission (OWPT) systems which are expected for the application to various usage. Up to now, we have reported GaN-based PTs with GaInN multiple-quantum-well (MQW) structures with over 40 wells, and now we consider the crystal quality improvement in epitaxial structures necessary for further improvement in the device performance. In this study, we focused on the quality improvement in the GaInN MQWs and top p-contact layers and attempted to optimize the growth temperature engineering for them. The results confirmed that the optimized growth conditions succeeded in the suppression of the structural fluctuation in the GaInN MQWs and the improvement in the top surface morphologies. | |
| キーワード | （和） | GaInN-MQW / MOCVD / 光無線給電システム / / / / / |
| （英） | GaInN-MQW / MOCVD / OWPT system / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 280, LQE2024-54, pp. 13-16, 2024年11月. | |
| 資料番号 | LQE2024-54 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on crystal quality and device performance improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transduders |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN-MQW / GaInN-MQW |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 光無線給電システム / OWPT system |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嶋 智輝 / Tomoki Kojimai / コジマ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 颯汰朗 / Soutarou Ishida / イシダ ソウタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-28 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2024-23, CPM2024-67, LQE2024-54 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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