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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-29 13:30 GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 ○齋藤 渉・西澤伸一（九大）  ED2024-32 CPM2024-76 LQE2024-63 |
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| 抄録 | （和） | 耐圧分布の均一性を改善するスクリーニング方法として、バーストUISテストを提案する。GaN-HEMTは、アバランシェ降伏時に発生するホール排出能力が低いことで、アバランシェ耐量がほぼゼロという欠点を有する。このため、耐圧測定を行うと素子が破壊してしまい、製品出荷テストにおいて耐圧測定による低耐圧品の除去が難しい。そこで、バーストUISテストによる繰り返し過電圧ストレス印加をスクリーニング方法として提案する。実験結果から、適切な試験電流により繰り返し過電圧ストレスにより低耐圧品が除去されることが確認された。 |
| （英） | As a screening test recipe, burst unclamped inductive switching (UIS) test is proposed to improve breakdown voltage uniformity. One of the critical disadvantages of GaN-HEMTs is its lack of the UIS withstanding capability, because there is no removal structure of holes, which generated by the avalanche breakdown. Hence, at the screening in the mass-production, measurement of the avalanche breakdown voltage cannot be employed to reject low breakdown voltage devices due to catastrophic failure, and conventional static drain leakage current measurements are insufficient. This paper reports a screening test of GaN-HEMTs by repetitive overvoltage stress using burst UIS test. The experimental results show the repetitive overvoltage stress was needed to reject outliers with low breakdown voltage and optimum test current avoided to generate new outliers. | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / 耐圧 / スクリーニング / / / / / |
| （英） | GaN-HEMT / Breakdown Voltage / Screening / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 278, ED2024-32, pp. 49-52, 2024年11月. | |
| 資料番号 | ED2024-32 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-32 CPM2024-76 LQE2024-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Screening Test of GaN-HEMTs for Improvement of Breakdown Voltage Uniformity |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| キーワード(3)（和/英） | スクリーニング / Screening |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 渉 / Wataru Saito / サイトウ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Uni.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西澤 伸一 / Shin-ichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Uni.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-29 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-32, CPM2024-76, LQE2024-63 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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