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| 講演名 | 2024-11-29 16:20 水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）  ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69 |
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| 抄録 | （和） | 次世代無線通信に向けた高周波用途の絶縁ゲート型高電子移動度トランジスタ(HEMT: High Electron Mobility Transistor)を実現するため、300GHz帯で高い出力を示すInP系metal-oxide-semiconductor (MOS)-HEMTに水蒸気酸化Al2O3ゲート絶縁膜を採用し、Al2O3の欠陥低減による性能向上を試みた。Al2O3ゲート絶縁膜の原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)における酸素原料、及び成膜後アニールにH2O蒸気を採用することで、InP系MOS-HEMTのドレイン電流、及び相互コンダクタンスが向上するとともに、オン抵抗が低減することを明らかにした。開発したInP系MOS-HEMTを300GHz帯パワーアンプに採用した結果、6.6%の電力付加効率(PAE)が得られ、300GHz帯アレイアンテナとの集積に適した1 mm2以下のサイズにおける化合物半導体パワーアンプのベンチマークにおいて、最も高いPAEを示した。 |
| （英） | In this study, we successfully demonstrated the improved performance of InP-based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors (MOS-HEMTs) by H2O vapor oxidant source for atomic layer deposited (ALD)-Al2O3 gate insulator films. We confirmed that the DC and RF characteristics improved when using H2O vapor compared with O2 plasma which attributed to the reduction of defects in ALD-Al2O3. The power amplifier (PA) using developed MOS-HEMTs achieved the highest PAE of 6.6% among all 300-GHz band PAs using compound semiconductors with a size of less than 1 mm2 to consider heterogeneous integration for an antenna array with an element pitch less than 1λ (1 mm). | |
| キーワード | （和） | InP系MOS-HEMTs / ALD-Al2O3 / H2O蒸気 / パワーアンプ / / / / |
| （英） | InP-based MOS-HEMTs / ALD-Al2O3 / H2O vapor / power amplifiers / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 278, ED2024-38, pp. 73-78, 2024年11月. | |
| 資料番号 | ED2024-38 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved performance of InP-based MOS-HEMTs by H2O vapor oxidant source for ALD-Al2O3 gate insulator films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系MOS-HEMTs / InP-based MOS-HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | ALD-Al2O3 / ALD-Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | H2O蒸気 / H2O vapor |
| キーワード(4)（和/英） | パワーアンプ / power amplifiers |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Hara Naoki / ハラ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-29 16:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-38, CPM2024-82, LQE2024-69 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.73-78 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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