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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-29 14:55 界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析 ○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2024-35 CPM2024-79 LQE2024-66 |
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| 抄録 | （和） | 界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM )を用いて、GaN Junction Barrier Schottky (JBS) 構造の2次元評価を行った。2つの構成要素であるNi/p+-GaN/n--GaN PN接合からはGaNの基礎吸収に伴う光電流，Ni/n--GaN ショットキー接触からは基礎吸収と Ni 電極からの内部光電子放出による光電流がそれぞれ検出された．この結果JBS構造に対して基礎吸収域の近紫外光SIPM測定では電極全体のパターン、可視光域の青色測定では両者を高いコントラストで区別したパターンが得られた。本手法が実デバイス構造の評価に有望であることを示した。 |
| （英） | We report the experimental results on the two-dimensional characterization of the GaN junction barrier Schottky (JBS) structure by scanning internal photoemission microscopy (SIPM). In the Ni/p+-GaN/n--GaN PN junction, we detected photocurrent based on the fundamental absorption of GaN. From the Ni/n--GaN Schottky contact, photocurrent based on the fundamental absorption and internal photoelectron from the n--GaN to the Ni electrode were detected. For the JBS structure, a pattern of the entire electrode was obtained by SIPM measurement using near-ultraviolet laser. In addition, using blue laser, we obtained a pattern that differentiated the two regions with high contrast. We demonstrated that SIPM is promising method for characterizing actual JBS structures. | |
| キーワード | （和） | GaN / ジャンクションバリアショットキー構造 / 二次元評価 / 界面顕微光応答法 / / / / |
| （英） | GaN / Junction barrier Schottky structure / two-dimensional characterization / scanning internal photoemission microscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 278, ED2024-35, pp. 61-64, 2024年11月. | |
| 資料番号 | ED2024-35 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-35 CPM2024-79 LQE2024-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional characterization of the GaN JBS structure by using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ジャンクションバリアショットキー構造 / Junction barrier Schottky structure |
| キーワード(3)（和/英） | 二次元評価 / two-dimensional characterization |
| キーワード(4)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今林 弘毅 / Hiroki Imabayashi / イマバヤシ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉村 遥翔 / Haruto Yoshimura / ヨシムラ ハルト |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 博 / Hiroshi Ohta / オオタ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-29 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-35, CPM2024-79, LQE2024-66 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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