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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-29 15:20 GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 ○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 |
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| 抄録 | （和） | GaN系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、同じGaN系のHEMTや他材料系からなるHBTと比べて高速・大動力動作が期待できる。しかし、GaN系npn型HBTのベース層におけるMgアクセプタの活性化が難しく、低抵抗のp型ベース層が得られないという課題がある。本研究では、p型ベース層の横方向抵抗を低減する方法として、GaInN/GaNからなる多重量子井戸(MQW)構造の適用の可能性について検討した。その結果、p型ベース層の比抵抗を低減することに成功。GaInN/GaN MQW構造によるｐ型ベース層を備えた試作HBTの電流－電圧特性を調べたところ、ベース注入電流に応じたコレクタ電流の変調が確認された他、飽和領域に続く明瞭な活性領域が見られる良好なトランジスタ特性を示した。 |
| （英） | GaN-based heterojunction bipolar transistors (HBTs) are expected to show higher performance than those of GaN HEMTs or of other material HBTs in high-power RF applications. However, for realizing GaN HBTs, there are known to be technical challenges. That is, GaN HBTs must have embedded p-type regions inside, and they hinder obtaining a high lateral conduction in the base region. In this study, we attempted to adopt multiple quantum well (MQW) structures to the p-type base regions of GaN HBTs. The results showed that the fabricated HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as the p-type region showed good pinch-off characteristics with clear saturation and active regions in the DC output I-V curves. | |
| キーワード | （和） | HBT / MQW / 2DHG / GaN / GaInN / / / |
| （英） | HBT / MQW / 2DHG / GaN / GaInN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 278, ED2024-36, pp. 65-68, 2024年11月. | |
| 資料番号 | ED2024-36 | |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2024-11-28 - 2024-11-29 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device fabrication and characterization of GaN HBTs with a p-type base region based-on GaInN/GaN MQW structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | MQW / MQW |
| キーワード(3)（和/英） | 2DHG / 2DHG |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 諒星 / Ryosei Inoue / イノウエ リョウセイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嶋 智輝 / Tomoki Kojima / コジマ トモキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間瀬 晃 / Akira Mase / マセ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-29 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-36, CPM2024-80, LQE2024-67 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.278(ED), no.279(CPM), no.280(LQE) |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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