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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-01-24 14:20 ［招待講演］100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発 ○尾崎史朗・熊崎祐介・中舍安宏・山田敦史・原 直紀・多木俊裕（富士通）  ED2024-81 MW2024-167 |
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| 抄録 | （和） | 次世代移動体通信のBeyond 5G/6Gでは、超大容量通信を可能とするサブテラヘルツ波（≧90 GHz）の利用が検討されている。サブテラヘルツ波は自由空間伝搬損失が大きいため、高出力パワーアンプの実現が急務である。本講演では、100 GHz帯において1 W以上の出力を実現するGaNパワーアンプ向けのデバイス・プロセス技術について報告する。具体的には、オーミックコンタクト構造体の形成における従来の選択成長プロセスの課題であった半導体へのダメージ導入を抑制し、電流コラプスを改善することで、トランジスタのパワー特性向上に成功した。 |
| （英） | This study describes high-power and high-efficiency 100 GHz band GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) for future sub-terahertz wireless communications. A low-thermal-budget selective-area growth (SAG) process was developed to obtain low contact resistance with low trap states. Consequently, a high output power and power-added efficiency (PAE) were achieved with pre-matched InAlGaN/AlN/GaN HEMTs at 90 GHz, which were superior combination of output power and PAE compared to the conventional high-temperature SAG process. | |
| キーワード | （和） | GaN系HEMT / パワーアンプ / 100 GHz帯 / 1 W級 / / / / |
| （英） | GaN-based HEMTs / power amplifiers / 100 GHz band / 1 Watt class / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 355, ED2024-81, pp. 73-76, 2025年1月. | |
| 資料番号 | ED2024-81 | |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-81 MW2024-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2025-01-23 - 2025-01-24 |
| 開催地（和） | 深谷公民館・深谷生涯学習センター |
| 開催地（英） | fukaya-kouminkan |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of GaN-based HEMTs for 100 GHz Band 1 Watt Class Power Amplifiers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN系HEMT / GaN-based HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | パワーアンプ / power amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | 100 GHz帯 / 100 GHz band |
| キーワード(4)（和/英） | 1 W級 / 1 Watt class |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 敦史 / Atsushi Yamada / ヤマダ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-01-24 14:20:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-81, MW2024-167 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.355(ED), no.356(MW) |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) |
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