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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-01-24 13:30 ［招待講演］Beyond 5G応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討 ○安藤裕二・高橋英匡・牧迫隆太郎（名大）・分島彰男（熊本大）・須田 淳（名大）  ED2024-80 MW2024-166 |
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| 抄録 | （和） | ゲート長 0.1～0.3 mのT型ゲート電極を有するシングルゲート（SG）構造およびデュアルゲート（DG）構造のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）を作製した。SG-HEMTでは短チャネル効果と電流コラプスが顕著であったが、同一ウェハ上に作製したDG素子ではこれらの現象の抑制に成功した。参照エピ構造（AlNモル分率：x = 0.22, 障壁層厚：t = 17.5 nm）を用いた120 nmゲートDG-HEMTは外挿最高発振周波数（外挿fmax） 239 GHzを示したが、110 nmゲートSG素子の外挿fmaxは146 GHzであった。さらに、高AlNモル分率・薄層化した障壁層（x = 0.34, t = 11.5 nm）の採用によるDG-HEMTのさらなる性能向上も確認した。以上の結果は、DG構造の適用がサブテラヘルツ周波数におけるGaN-HEMTの利得性能を向上し得る可能性を示している。 |
| （英） | We fabricated AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with both single-gate (SG) and dual-gate (DG) configurations, featuring T-shaped gates with gate lengths ranging from 0.1 to 0.3 μm. In the DG HEMTs, both the short-channel effect and current collapse were successfully suppressed, whereas SG devices fabricated on the same wafer were significantly affected by these phenomena. Furthermore, a 120-nm DG-HEMT using a reference epitaxial structure (AlN mole fraction: x = 0.22, barrier thickness: t = 17.5 nm) exhibited an extrapolated maximum oscillation frequency (fmax) of 239 GHz, while a 110-nm SG device exhibited a value of 146 GHz. Additionally, further improvements in DG-HEMT performance were demonstrated using a high AlN mole fraction (x = 0.34) and a thin barrier layer (t = 11.5 nm). These results clearly demonstrate the potential of the DG structure to enhance the gain characteristics of GaN HEMTs operating at sub-THz frequencies. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / デュアルゲート （DG） / 高電子移動度トランジスタ （HEMT） / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / dual gate (DG) / high electron mobility transistor (HEMT) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 355, ED2024-80, pp. 67-72, 2025年1月. | |
| 資料番号 | ED2024-80 | |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-80 MW2024-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2025-01-23 - 2025-01-24 |
| 開催地（和） | 深谷公民館・深谷生涯学習センター |
| 開催地（英） | fukaya-kouminkan |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Beyond 5G応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of AlGaN/GaN Dual-Gate HEMTs for Beyond 5G Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルゲート （DG） / dual gate (DG) |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ （HEMT） / high electron mobility transistor (HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 裕二 / Yuji Ando / アンドウ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 英匡 / Hidemasa Takahashi / タカハシ ヒデマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧迫 隆太郎 / Ryutaro Makisako / マキサコ リュウタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 分島 彰男 / Akio Wakejima / ワケジマ アキオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-01-24 13:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-80, MW2024-166 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.355(ED), no.356(MW) |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) |
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