| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2025-01-29 15:20
[招待講演]3次元フラッシュメモリ将来世代向けHorizontal channel flash構造 ○小田 穣・坂廻昂祐・妹尾駿一・仲田裕貴・福岡 諒・草井 悠・細谷啓司・中西 徹・萩島大輔・石川俊也・小倉達朗・内藤慎哉・来栖貴史・真野須弥子・荻窪 剛・藤松基彦・杉前紀久子・畠山みな・犬塚雄貴・仁木祐介・田中里英子・柴田 昇・中村 寛・藤原 実・松尾浩司・下城義朗・荒井史隆・近藤正樹・沖 知普・鬼頭 傑(キオクシア) SDM2024-69 |
| 抄録 |
(和) |
チップコスト低減に向けて3次元フラッシュメモリは高積層化されてきたが、将来世代ではNAND長増加に伴うセル電流低下が問題となる。そこでNAND長方向を水平方向にすることでセル電流が積層数に依らず、チップサイズ縮小可能性のある新規構造Horizontal channel flash (HCF)をIEDM2024にて提案した。本報告では、当該構造で新たに導入された構造の概要やデバイス特性について報告する。 |
| (英) |
Decreasing cell current will be a significant issue in future 3D NAND flash memory as its stacking number is increased to reduce chip cost. In IEDM2024, we proposed the new architecture of horizontal channel flash, HCF, which has two outstanding features. One is the constant cell current due to the horizontal channel, which results in no independence of the stacking number. The other is better chip size scalability than other 3D NAND flash memories. Here, we report its feature in the cell structure and also its device characteristics estimated by TCAD and on actual devices. |
| キーワード |
(和) |
3次元フラッシュメモリ / セル電流 / Local Block Interconnect / 階段 / Floating gate / / / |
| (英) |
3D NAND flash memory / Cell current / Local Block Interconnect / Staircase / Floating gate / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 367, SDM2024-69, pp. 15-15, 2025年1月. |
| 資料番号 |
SDM2024-69 |
| 発行日 |
2025-01-22 (SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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